SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRS1090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1090HMNG -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1090 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
SR3050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr3050pthc0g -
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR3050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 30A 700 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation Puad10bch 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PUAD10 Estándar Thindpak descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 950 MV @ 10 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZV55B3V0 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V0 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
HS1DL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL 0.2228
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1DLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
S1KLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation S1klhmtg -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
UF4003HR0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003HR0G -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4003 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SFT11GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sft11gha0g -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Sft11 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
GP1602 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1602 C0G -
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1602 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 16A 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
ZM4756A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4756a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4756 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
HS1M Taiwan Semiconductor Corporation HS1M 0.4000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS1M Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SFA802GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA802GHC0G -
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA802 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 100pf @ 4V, 1 MHz
S12MC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7G -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
RS1JH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1JH 0.0712
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SK15B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK15B R5G -
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK15 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ES2CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2CA M2G -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES2C Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
2M11Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m11z 0.1565
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M11 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 1 µA @ 8.4 V 11 V 4 ohmios
SR506 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR506 B0G -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR506 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SRT110HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt110ha0g -
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt110 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 1 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
HS5M Taiwan Semiconductor Corporation HS5M 0.2748
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 75 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
ABS15J Taiwan Semiconductor Corporation ABS15J 0.1800
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS15 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V 1.5 A Fase única 600 V
MBR2060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060CTH -
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2060 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS1590CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1590CT mng -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1590 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 15A 920 MV @ 7.5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS5G M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5G M6G -
RFQ
 ECAD 1868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRAF830HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF830HC0G -
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF830 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
FR103G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR103G B0G -
RFQ
 ECAD 3416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial FR103 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SK83C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C M6G -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk83 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
BZD27C11PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11phm2g -
RFQ
 ECAD 7732 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
RS1JLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhmhg -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1DLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmtg -
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar