SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX584B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V3 0.0790
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V3TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
MTZJ20SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ20SB R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj20 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 V 19.11 V 55 ohmios
HS3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3D M6G -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C27P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P RTG -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
BZD27C6V8PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHM2G -
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
BZD27C30P Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30p 0.2753
RFQ
 ECAD 8565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C30PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
SK320BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk320bh 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK320 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS310HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ss310hr7g -
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS310 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS3MHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3mhm6g -
RFQ
 ECAD 1593 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3m Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UR3KB80 Taiwan Semiconductor Corporation Ur3KB80 0.5154
RFQ
 ECAD 9270 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur3kb Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 2 a 10 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
BZD27C62PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c62phrtg -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
BZT55B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B62 0.0385
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B62TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 47 V 62 V 150 ohmios
GBPC1510M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC1510M 3.1618
RFQ
 ECAD 1520 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC15 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC1510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC1510M EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
MUR305SBH Taiwan Semiconductor Corporation MUR305SBH 0.2286
RFQ
 ECAD 2147 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Mur305 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MOR305SBHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 900 MV @ 3 A 25 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HERA807G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Hera807g C0G -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Hera807 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 55pf @ 4V, 1 MHz
ES2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA M2G -
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES2A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
1N4740A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740A 0.1642
RFQ
 ECAD 4253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
ESH2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Esh2dfsh 0.4100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 960 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 27pf @ 4V, 1MHz
SFS1603G MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1603g mng -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1603 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
GBU1505 Taiwan Semiconductor Corporation GBU1505 1.2978
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP, GBU GBU1505 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBU1505 EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
TSS42L RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSS42L RWG -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSS42 Schottky 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 650 MV @ 50 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SK84CHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Sk84chm6g -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk84 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
SR115HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr115ha0g -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR115 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
UG06AHA1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06AHA1G -
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
MUR160SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur160sh 0.1162
RFQ
 ECAD 8362 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB MUR160 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
UGF1005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005GHC0G -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1005 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.25 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
HER301G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HES301G R0G -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial HES301 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
RS2KA Taiwan Semiconductor Corporation Rs2ka 0.0731
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2k Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
TSZU52C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V3 0.0669
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C3V3TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
SF1005GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1005GH 0.6068
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1005 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF1005GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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