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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX79B56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B56 A0G -
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 39.2 Ma @ 50 MV 56 V 200 ohmios
BZD27C11PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11phmtg -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
ES3C R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3C R6 -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
SK26A Taiwan Semiconductor Corporation Sk26a 0.0821
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk26 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
MBR10200HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200HC0G -
RFQ
 ECAD 9257 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1020 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZD17C51P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
BZD27C51PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c51phm2g -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
BZD27C130PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c130phr3g -
RFQ
 ECAD 3891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
S2MH Taiwan Semiconductor Corporation S2MH 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
BZV55C51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C51 L1G 0.0499
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 38 V 51 V 125 ohmios
1N4934G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G R1G -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SFF502GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502GHC0G -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF502 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 980 MV @ 2.5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C2V4 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V4 RGG 0.0669
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
MTZJ33SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SD R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ33 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 25 V 32.3 V 65 ohmios
S12KC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12KC R7 -
RFQ
 ECAD 1129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S12KCR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
RB751V-40 RRG Taiwan Semiconductor Corporation RB751V-40 RRG 0.0494
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 RB751 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 370 MV @ 1 MA 500 na @ 30 V -40 ° C ~ 125 ° C 30mera 2pf @ 0V, 1 MHz
SR205HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr205hb0g -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR205 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
BZX79B3V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V6 A0G -
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 1 ma @ 15 V 3.6 V 90 ohmios
S1GLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1glshrvg -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1g Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
BZT52B5V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V6-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 3122 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
RS1DLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhrhg -
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR840HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR840HC0G -
RFQ
 ECAD 1615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Mur840 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
BAT54A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A RFG 0.2600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
BZV55B22 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B22 L1G -
RFQ
 ECAD 4594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 100 na @ 16 V 22 V 55 ohmios
SK22AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Sk22ahr3g -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk22 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SR503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr503hb0g -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
SF21GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21GHA0G -
RFQ
 ECAD 7121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF21 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
SR2090PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr2090pthc0g -
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR2090 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A 920 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
S1ML RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1ml rhg -
RFQ
 ECAD 5495 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1ml Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1N4759AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4759AHB0G -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4759 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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