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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NXPLQSC20650WQ | - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPLQSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934070883127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.85 v @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 20A | 250pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | Nxpsc04650d6j | 2.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | Byv30jt-600pq | 2.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | BYV30 | Estándar | Un 3p | descascar | 1 (ilimitado) | 934071201127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 480 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 30 A | 65 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | - | |||||
BYV29FD-600,118 | 0.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYV29 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | ||||||
![]() | BYW29E-150,127 | 0.8900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
NXPSC10650Q | 5.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | BYV40W-600PQ | 1.4871 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | BYV40 | Estándar | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072032127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 40 A | 79 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 40A | - | ||||
![]() | BYC20X-600,127 | 1.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYC20 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 V @ 20 A | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | |||||
![]() | BYV29X-600AQ | 0.9800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYV29 | Un 220F | - | 1 (ilimitado) | 934069808127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||
![]() | Nur460p/l06u | - | ![]() | 1821 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Nur460 | Estándar | Do-201ad | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.28 v @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4A | - | |||||
![]() | WB30FC120Alz | 1.2113 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB30 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.5 V @ 30 A | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 30A | - | |||||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7894 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYV29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 9A | - | |||||
![]() | Byv32eb-200pq | - | ![]() | 9807 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | BYV32 | Estándar | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||
![]() | WNSC5D106506Q | - | ![]() | 7918 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | - | 1740-WNSC5D106506Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 323pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | Byw29e-200,127 | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYW29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | WNSC2D1012006Q | 1.4521 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 481pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | BYV415W-600PQ | 1.4871 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | BYV415 | Estándar | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 15A | 2.1 v @ 15 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | MUR440J | 0.1249 | ![]() | 5660 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Mur440 | Estándar | SMC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 400 V | 175 ° C | 4A | - | |||||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | BYC40 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 40 A | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 40A | - | |||||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPLQSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934072091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.95 V @ 15 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | NXPLQSC30650WQ | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPLQSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934070882127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.95 V @ 15 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 30A | 300pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | BYV32E-100,127 | 0.5610 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 30 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | BYC20DX-600PQ | 1.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYC20 | Estándar | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.9 V @ 20 A | 20 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 20A | - | |||||
![]() | WB100FC120Alz | 2.5754 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB100 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 100 A | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 100A | - | |||||||
![]() | BYV34G-600,127 | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | BYV34 | Estándar | I2pak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 20A | 1.48 V @ 20 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
BYV25D-600,118 | 0.9300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYV25 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 5 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||
![]() | WNB199V5APTSV | 0.9319 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WNB199 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 60 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C | 60A | - | |||||||
![]() | WNS30H100CQ | 1.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | WNS30 | Schottky | TO20E | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 934072050127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 15A | 710 MV @ 15 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||
![]() | BYC8-600P, 127 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc8 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 v @ 8 a | 18 ns | 20 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYQ28E-200E, 127 | 0.7200 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYQ28 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 1.25 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) |
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