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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
SBLF25L25CThe3/45	-	RFQ	2730	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	SBLF25L25	Schottky	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	25 V	12.5a	490 MV @ 12.5 A		900 µA @ 25 V	-55 ° C ~ 150 ° C
U8BT-E3/4W	-	RFQ	8579	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	U8	Estándar	To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.02 v @ 8 a	20 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UF10CCT-E3/4W	-	RFQ	5537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UF10	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UG18BCThe3/45	-	RFQ	1953	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	UG18	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
UG5HT-E3/45	-	RFQ	3991	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	UG5	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.75 v @ 5 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Ug5jthe3/45	-	RFQ	4721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	UG5	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 v @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Ug8athe3/45	-	RFQ	5499	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	UG8	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UG8DT-E3/45	-	RFQ	2118	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	UG8D	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Ug8dthe3/45	-	RFQ	9854	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	UG8	Estándar	TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Ugb8bthe3_a/p	-	RFQ	7150	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB8	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UGB8DT-E3/45	-	RFQ	6009	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB8	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UGF10DCT-E3/45	-	RFQ	1925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF10	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
UGF8GT-E3/45	-	RFQ	3156	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UGF8	Estándar	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
UGF8JCThe3/45	-	RFQ	5586	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF8	Estándar	ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	4A	1.75 v @ 4 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UHF10JT-E3/45	-	RFQ	7779	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	UHF10	Estándar	ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V			25 ns		-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
V20100R-E3/4W	-	RFQ	3635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3	V20100	Schottky	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	900 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
V20200G-E3/4W	0.8273	RFQ	4539	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-3	V20200	Schottky	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	1.7 V @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
2W005G-E4/51	0.8200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	2W005	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1.1 v @ 2 a		5 µA @ 50 V		2 A		Fase única	50 V
2W02G-E4/51	0.8000	RFQ	364	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	2W02	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1.1 v @ 2 a		5 µA @ 200 V		2 A		Fase única	200 V
2W08G-E4/51	0.8200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	2w08	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1.1 v @ 2 a		5 µA @ 800 V		2 A		Fase única	800 V
B125C800G-E4/51	0.3424	RFQ	7764	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	B125	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 900 Ma		10 µA @ 200 V		900 mA		Fase única	200 V
B80C1000G-E4/51	0.6100	RFQ	635	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	B80	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 1 A		10 µA @ 125 V		1 A		Fase única	125 V
B80C800G-E4/51	0.6100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	B80	Estándar	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 900 Ma		10 µA @ 125 V		900 mA		Fase única	125 V
G3SBA60-E3/51	0.8303	RFQ	8158	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	G3SBA60	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	250					1 v @ 2 a		5 µA @ 600 V		2.3 A		Fase única	600 V
G3SBA60L-E3/51	-	RFQ	6752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	G3SBA60	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	250					1 v @ 2 a		5 µA @ 600 V		2.3 A		Fase única	600 V
GBLA02-E3/51	0.6630	RFQ	8630	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBLA02	Estándar	GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	400					1.1 v @ 4 a		5 µA @ 200 V		3 A		Fase única	200 V
GBPC101-E4/51	-	RFQ	9300	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-1	GBPC101	Estándar	GBPC1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	100					1 V @ 1.5 A		5 µA @ 100 V		2 A		Fase única	100 V
GBPC110-E4/51	-	RFQ	9061	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-1	GBPC110	Estándar	GBPC1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	100					1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		2 A		Fase única	1 kV
By133gphe3/73	-	RFQ	6943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo		A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BY133	Estándar	DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.2 v @ 2 a	2 µs	5 µA @ 1300 V	-	1A	-
BY251GP-E3/73	0.4100	RFQ	270	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY251	Estándar	Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²