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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
SS1P6LHM3/84A	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		590 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 4V, 1 MHz
VS-12FLR10S02	5.0972	RFQ	3016	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12FLR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.4 v @ 12 a	200 ns	50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
AS1PG-M3/84A	0.6500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	AS1	Avalancha		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 1.5 A	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	10.4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B36-E3-18	0.0415	RFQ	2072	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B36		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 27 V						36 V	87 ohmios
1N5252C-TR	0.0288	RFQ	1118	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5252		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V						24 V	33 ohmios
SMPZ3937B-M3/84A	0.1027	RFQ	4345	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ3937		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
1N5227C-TAP	0.0339	RFQ	4315	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5227		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
BZX84B10-E3-08	0.2400	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B10		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								200 na @ 7 V						10 V	20 ohmios
BZX584C16-HG3-08	0.3400	RFQ	3511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX584C	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000								50 na @ 11.2 V						16 V	10 ohmios
VS-20ETS08S-M3	2.2200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20ets08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 20 A		100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
BZT03C130-TAP	0.2640	RFQ	5956	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 6.54%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C130		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 100 V						130 V	300 ohmios
Byg20ghm3_a/i	0.1568	RFQ	4668	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg20	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 1.5 A	75 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
RGP10BHE3/73	-	RFQ	9582	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-8ETH03STRLHM3	0.9331	RFQ	5235	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	8eth03	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-8eth03StrlHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BZX85C5V1-TAP	0.3800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C5V1		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								1 µA @ 1.5 V						5.1 V	10 ohmios
U3D-E3/9at	0.6200	RFQ	8316	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	U3D	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 3 A	20 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
FGP50D-E3/73	-	RFQ	2972	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	FGP50	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 5 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	100pf @ 4V, 1 MHz
SBLB1630CThe3/81	-	RFQ	5552	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB1630	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	8A	550 MV @ 8 A		500 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C
SMPZ3927B-M3/85A	0.0888	RFQ	2308	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ3927		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 9.1 V						12 V	6.5 ohmios
1N5228C-TR	0.0339	RFQ	1130	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5228		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
MMBZ5252B-HE3-18	-	RFQ	7720	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5252		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 18 V						24 V	33 ohmios
V3fm10hm3/i	0.0878	RFQ	7056	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	V3FM10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 3 A		85 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3A	240pf @ 4V, 1MHz
AZ23C7V5-HE3-18	0.0436	RFQ	2104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C7V5		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 5 V						7.5 V	7 ohmios
BZX55B30-TR	0.2200	RFQ	9644	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B30		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 22 V						30 V	80 ohmios
DZ23C3V3-E3-08	0.3100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 par Cátodo Común													3.3 V	95 ohmios
BZX384B3V6-HE3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	Bzx384b3v6		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
EGL41BHE3/96	-	RFQ	9527	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
85CNQ015Asl	-	RFQ	4507	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	85cnq	Schottky		D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	15 V	40A	450 MV @ 80 A		20 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C
BY133GP-E3/54	-	RFQ	1118	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BY133	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.2 v @ 2 a	2 µs	5 µA @ 1300 V	-	1A	-
2kbp10m/51	-	RFQ	2813	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 165 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	2kbp10	Estándar		KBPM	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	600						1.1 V @ 3.14 A		5 µA @ 1000 V		2 A		Fase única	1 kV

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²