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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)
CS3G-E3/I	0.3600	RFQ	39	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	CS3	Estandarte	DO-214AB (SMC)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 v @ 3 a	2.8 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	26pf @ 4V, 1MHz
V15p15hm3/h	1.0200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15P15	Schottky	TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.08 v @ 15 a		300 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	15A	-
GBU6G-E3/51	2.1600	RFQ	4096	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250					1 v @ 6 a		5 µA @ 400 V		3.8 A		Fase única	400 V
DF04SA-E3/45	0.2751	RFQ	3511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF04	Estándar	DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 400 V		1 A		Fase única	400 V
GBU4D-E3/45	1.9500	RFQ	728	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU4	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20					1 v @ 4 a		5 µA @ 200 V		3 A		Fase única	200 V
Byg24g-e3/tr3	0.1931	RFQ	8276	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg24	Avalancha	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 V @ 1.5 A	140 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
B250C800G-E4/51	0.6100	RFQ	7729	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-Circular, Wog	B250	Estandarte	Montar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000					1 V @ 900 Ma		10 µA @ 400 V		900 mA		Fase única	400 V
VS-HFA08TB120SL-M3	0.8286	RFQ	3249	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA08	Estandarte	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		4.3 V @ 16 A	95 ns	10 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SS14HE3/61T	-	RFQ	7151	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	-
KBU6B-E4/51	4.8200	RFQ	232	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBU	KBU6	Estandarte	Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	KBU6BE451	EAR99	8541.10.0080	250					1 v @ 6 a		5 µA @ 100 V		6 A		Fase única	100 V
Rs1flk-m3/i	0.0512	RFQ	4220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-219AB		Estandarte	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-RS1FLK-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 v @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
VS-12TQ035Strl-M3	0.6734	RFQ	7466	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ035	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
G2SB60-E3/51	-	RFQ	7521	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	G2SB60	Estándar	GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	400					1 V @ 750 Ma		5 µA @ 200 V		1.5 A		Fase única	600 V
RGP20JHE3/54	-	RFQ	8494	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	RGP20	Estándar	GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 v @ 2 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	-
BAS170WS-G3-18	0.4100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAS170	Schottky	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		1 V @ 15 Ma		10 µA @ 70 V	-55 ° C ~ 125 ° C	70 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
GURB5H60HE3/81	-	RFQ	3592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Gurb5	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 5 A	30 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
VS-20ETF02Strl-M3	1.5779	RFQ	6504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf02	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 20 A	160 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-47CTQ020-1PBF	-	RFQ	7416	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic		A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	47CTQ020	Schottky	Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	20 V	20A	450 MV @ 20 A		3 Ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GL41D-E3/97	0.1246	RFQ	4523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
UG18DCT-E3/45	-	RFQ	6001	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-3	UG18	Estándar	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
UG30APT-E3/45	-	RFQ	5803	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	UG30	Estandarte	TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	30A	1.15 V @ 30 A	35 ns	15 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C
RGL41K-E3/97	0.1284	RFQ	3872	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VB60170G-E3/8W	2.6100	RFQ	2692	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB60170	Schottky	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	170 V	30A	1.02 v @ 30 a		450 µA @ 170 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SE15FGHM3/H	0.4800	RFQ	8032	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO-219AB	SE15	Estándar	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	10.5pf @ 4V, 1 MHz
S1PKHM3/85A	0.0754	RFQ	7647	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	DO220AA	S1P	Estándar	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1 MHz
UHB20FCT-E3/8W	-	RFQ	6228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UHB20	Estándar	To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	10A	1.2 v @ 10 a	35 ns	5 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GBU6D-E3/45	2.2100	RFQ	636	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar	Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20					1 v @ 3 a		5 µA @ 200 V		3.8 A		Fase única	200 V
RGL41MHE3/97	-	RFQ	5478	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estandarte	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-MBR2090CTG-1PBF	-	RFQ	4450	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR20	Schottky	Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSMBR2090CTG1PBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 90 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RGP10GE-E3/73	-	RFQ	2668	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo		A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²