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Diodos (29505)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EGP20C-E3/73 | - |  | 1374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | EGP20 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | EGP30che3/73 | - | | 4255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
 | GBPC1502W-E4/51 | 5.3000 | | 9029 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC1502 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| GBPC1504W-E4/51 | 5.3000 | | 163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC1504 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
 | GBPC1510-E4/51 | 5.3000 | | 196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC1510 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | GBPC1510E451 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| GBPC2508-E4/51 | 5.3000 | | 4621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2508 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
 | GBU4D-E3/51 | 1.9500 | | 137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | GBU4DE351 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 3 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| GBU4G-E3/51 | 1.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 3 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| GBU6B-E3/51 | 2.2100 | | 655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 3.8 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| GBU8J-E3/51 | 2.0600 | | 58 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 600 V | 3.9 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
 | KBU4M-E4/51 | 3.3700 | | 284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU4 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | KBU4ME451 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| KBU6A-E4/51 | 3.0205 | | 2581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU6 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
 | 1N3613GP-E3/73 | - | | 9428 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3613 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
| 1N4001GPHE3/73 | - | | 4402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4001 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | In4001gphe3/73 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N4002GPEHE3/73 | - | | 3445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4002 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4005GPHE3/73 | - | | 4042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4005 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4006GP-E3/73 | - | | 5650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4006 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N4007GP-E3/73 | 0.5400 | | 47 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4007 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
| 1N5393GPHE3/73 | - | | 6181 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5393 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 1.5 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5614GP-E3/54 | - | | 5596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5614 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 45pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5618GP-E3/54 | - | | 7613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5618 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5619GP-E3/54 | 0.6300 | | 638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5619 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 250 ns | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5623GP-E3/54 | 0.6300 | | 310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5623 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 1 a | 500 ns | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | 1N5624GPHE3/54 | - | | 1765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5624 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SRP300C-E3/73 | - | | 1296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Srp300 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.3 V @ 3 A | 100 ns | 10 µA @ 150 V | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| UF5400-E3/73 | - | | 9121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UF5400 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| UF5406-E3/73 | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UF5406 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 36pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| UG1A-E3/73 | - | | 2477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UG1 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
| Z4ke120AHE3/73 | - | | 2487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke120 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 500 Ma | 500 na @ 91.2 V | 120 V | 700 ohmios | |||||||||||
| Z4ke140AHE3/73 | - | | 3660 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Z4ke140 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 500 Ma | 500 na @ 106.4 V | 140 V | 900 ohmios |
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