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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
1N5400-E3/54	0.4700	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5400	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			50 V		1.2 v @ 3 a		5 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
VS-1EFH01-M3/I	0.4700	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	1EFH01	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		930 MV @ 1 A	16 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
MBRF2545CT-E3/45	2.0500	RFQ	628	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF2545	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	45 V	12.5a	820 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZG03C33-HM3-18	0.1898	RFQ	4974	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6.06%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C33		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 24 V						33 V	15 ohmios
BZD27B43P-E3-08	0.1155	RFQ	8319	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27b	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27B43		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000							1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 33 V						43 V	45 ohmios
SE10PDHM3/84A	0.4900	RFQ	8555	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE10	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.05 v @ 1 a	780 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
MBRF2060CT-E3/45	0.8399	RFQ	7843	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF2060	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	10A	800 MV @ 10 A		150 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Byw172g-tap	0.5742	RFQ	3863	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYW172	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			400 V		1.5 v @ 9 a	100 ns	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Byg20d-e3/tr	0.4000	RFQ	38	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg20	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.4 V @ 1.5 A	75 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
MBRB2535CThe3_a/i	-	RFQ	5250	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	35 V	12.5a	820 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
AZ23C18-HE3-18	0.0436	RFQ	7007	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C18		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 14 V						18 V	50 ohmios
VS-30WQ10FNTRR-M3	0.2767	RFQ	5183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ10	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30WQ10FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		810 MV @ 3 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	92pf @ 5V, 1MHz
8AF05NPP	-	RFQ	5349	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-47	8AF05	Estándar		B-47	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*8AF05NPP	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			50 V				7 Ma @ 50 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
V10P10-E3/87A	-	RFQ	1302	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		680 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
V10K170C-M3/H	0.6034	RFQ	3900	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10K170C-M3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	170 V	2.8a	870 MV @ 5 A		15 µA @ 170 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Tzx3v3b-tr	0.2400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx3v3		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 V	100 ohmios
V10p10hm3_a/h	0.8300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10P10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		680 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BZX55F15-TR	-	RFQ	8078	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 11 V						15 V	30 ohmios
VS-6FLR10S02	5.0972	RFQ	2908	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
VS-70HFR140M	16.7658	RFQ	8319	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFR140	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFR140M	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			1400 V		1.46 V @ 220 A			-65 ° C ~ 150 ° C	70a	-
BA158GPEHE3/54	-	RFQ	5544	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BA783S-E3-08	-	RFQ	9296	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		125 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BA783			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000			100 mA									1.2pf @ 3V, 1MHz	PIN - Single	35V			1.2ohm @ 3mA, 1 GHz
BA679S-M-08	0.1445	RFQ	7403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo		125 ° C (TJ)		DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BA679			Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	12,500												-	-	-			-
SML4745AHE3/61	-	RFQ	1431	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4745		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800									5 µA @ 12.2 V						16 V	16 ohmios
UGB12HT-E3/81	-	RFQ	8734	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB12	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			500 V		1.75 V @ 12 A	50 ns	30 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	-
BZG03C39-HM3-18	0.1898	RFQ	8195	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.13%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C39		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 30 V						39 V	40 ohmios
VS-ETL0806FP-M3	1.2100	RFQ	2104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	ETL0806	Estándar		To20-2 paqueto entero	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSETL0806FPM3	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.07 v @ 8 a	180 ns	9 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
BZG03B62-M3-08	0.2228	RFQ	8024	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B62		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 47 V						62 V	80 ohmios
RGP30GL-5003E3/72	-	RFQ	3301	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto					Rgp30				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
Rs2ghe3/52t	-	RFQ	5963	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			400 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²