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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG04-30-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 3682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-30 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 30 V | 36 V | |||||||||||||||
![]() | BZX384C3V9-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 4444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C3V9 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX85B91-TR | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B91 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 na @ 68 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||
![]() | EGL41DHE3/96 | - | ![]() | 7754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | EGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | EGL34A-E3/98 | 0.1513 | ![]() | 5163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | EGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||||
![]() | 3N259-E4/51 | - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3N259 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 1000 V | 2 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | VFT2045BP-M3/4W | 1.2900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | VFT2045 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VFT2045BPM34W | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 660 MV @ 20 A | 2 Ma @ 45 V | 200 ° C (Max) | 20A | - | ||||||||||||
![]() | VS-40L15CTSTRPBF | - | ![]() | 7751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 40L15 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 410 MV @ 19 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | BZG05B6V8-HE3-TR | - | ![]() | 6051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05B | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | UH1PC-M3/85A | 0.0903 | ![]() | 7467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | UH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 1 a | 40 ns | 1 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 16PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BAT54WS-E3-18 | 0.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAT54 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZG05B8V2-E3-TR3 | - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 1.95% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3794B-E3/52 | 0.1546 | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3794 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
Mpg06ghe3_a/54 | 0.1049 | ![]() | 8507 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | Mpg06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Byt56m-tap | 1.1500 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | Byt56 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 v @ 3 a | 100 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | BZG03B240-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 4959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B240 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 180 V | 240 V | 850 ohmios | ||||||||||||||
GP30AHE3/54 | - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | GP30 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µs | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||
BZX584C3V0-VG-08 | - | ![]() | 6412 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c-vg | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | PLZ3V3B-G3/H | 0.2800 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.07% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ3V3 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||
![]() | MBR20100CT-M3/4W | 1.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR20100 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MBR20100CT-M3/4WGI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | V25PL60-M3/87A | 0.4909 | ![]() | 6017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V25PL60 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 630 MV @ 25 A | 4 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5a | - | |||||||||||||
![]() | SS35-1HE3_A/I | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SS35 | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | VS-6CWT04FNTRR | - | ![]() | 5639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 6CWT04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 3A | 600 MV @ 3 A | 25 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
DZ23C4V3-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 4.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
AZ23B3V9-G3-08 | 0.0594 | ![]() | 2964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B3V9 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 3.9 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
AZ23C43-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 1773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C43 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 32 V | 43 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VS-1N3893 | 7.7500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3893 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 v @ 12 a | 300 ns | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||
![]() | VS-MBR2535CT-1PBF | - | ![]() | 4925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | MBR25 | Schottky | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBR2535CT1PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 35 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BZX85B16-TAP | 0.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B16 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 12 V | 16 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
BZX84C3V3-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C3V3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios |
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