RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
Byg22d-m3/tr	0.5200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZX84B3V6-E3-18	0.0324	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
TLZ27C-GS18	0.0335	RFQ	2864	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ27		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 24.3 V						27 V	45 ohmios
GBPC1502W-E4/51	5.3000	RFQ	9029	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, GBPC-W	GBPC1502	Estándar		GBPC-W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 200 V		15 A		Fase única	200 V
1N4004GPHM3/54	-	RFQ	3126	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4004	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			400 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 400 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
UB30BCT-E3/4W	-	RFQ	7594	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UB30	Estándar		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	100 V	15A	1.05 v @ 15 a	45 ns	20 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BYV27-600-TAP	0.8300	RFQ	31	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BYV27	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.35 v @ 3 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
EGP10DHM3/73	-	RFQ	2804	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
UFB200FA20	-	RFQ	9093	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB200	Estándar		Sot-227	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		2 Independientes	200 V	120A (DC)	1.1 V @ 120 A	45 ns	50 µA @ 200 V
ZMY15-GS18	0.4200	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZMY15		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 11 V						15 V	9 ohmios
BAT46W-G3-08	0.4000	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	BAT46	Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			100 V		1 V @ 250 Ma		5 µA @ 75 V	125 ° C (Máximo)	150 Ma	6pf @ 1v, 1 MHz
EGP10AHE3/54	-	RFQ	6971	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
RGF1J-E3/67A	0.5400	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
BA158GPE-E3/54	0.1754	RFQ	2802	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BA158	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
V8pal45-m3/i	0.8900	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V8PAL45	Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			45 V		570 MV @ 8 A		1.85 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4A	-
VS-VSKCS401/045	52.7730	RFQ	7501	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKCS401	Schottky		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKCS401045	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	45 V	200a	720 MV @ 200 A		20 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
RMPG06JHE3_A/54	0.4800	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5240B-E3-18	-	RFQ	1852	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5240		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 8 V						10 V	17 ohmios
BZX384C10-G3-08	0.0389	RFQ	9119	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C10		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								200 na @ 7 V						10 V	20 ohmios
VS-E5TH2106S2L-M3	1.8400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT® G5	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.68 V @ 20 A	39 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20A	-
VS-26MB06	7.6870	RFQ	2940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-	Terminal QC	4 Cuadrado, D-34	26Mb06	Estándar		D-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS26MB06	EAR99	8541.10.0080	20								10 µA @ 60 V		25 A		Fase única	600 V
BA282-TR	-	RFQ	3791	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		125 ° C (TJ)		Do-204AH, do-35, axial	BA282			DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		100 mA									1.25pf @ 3V, 100MHz	Estándar - Single	35V			500mohm @ 10 Ma, 200MHz
VS-16CDU06-M3/I	1.3600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	16CDU06	Estándar		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	600 V	8A	1.4 v @ 8 a	70 ns	5 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)
VS-VSKD236/12PBF	66.6933	RFQ	6828	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD236	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD23612PBF	EAR99	8541.10.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	1200 V	115a			20 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Murs160he3_a/i	0.5000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs160	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.25 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
VS-30CTQ035S-M3	0.9182	RFQ	4233	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	35 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
FGP50C-E3/73	-	RFQ	9755	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	DO-201AA, DO-27, AXIAL	FGP50	Estándar		GP20	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			150 V		950 MV @ 5 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	100pf @ 4V, 1 MHz
SMZJ3809AHE3/5B	-	RFQ	1831	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ38		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 51.7 V						68 V	120 ohmios
TLZ39E-GS08	0.0335	RFQ	3892	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ39		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 35.5 V						39 V	85 ohmios
ZGL41-190A-E3/97	0.2020	RFQ	7599	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	ZGL41		1 W	GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 144.4 V						190 V	1050 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²