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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
GDZ9V1B-HG3-18	0.0509	RFQ	1271	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ9V1		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000									500 na @ 6 V						9.1 V	30 ohmios
BZG04-43-M3-18	0.1980	RFQ	5036	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-43		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 43 V						51 V
BZX55C6V8-TAP	0.2300	RFQ	86	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C6V8		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 3 V						6.8 V	8 ohmios
BZG05C6V8-HM3-08	0.4200	RFQ	6288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.88%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C6V8		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500							1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4 V						6.8 V	3.5 ohmios
AZ23B6V2-HE3-18	0.0534	RFQ	8997	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V2		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 2 V						6.2 V	10 ohmios
BA783S-E3-18	-	RFQ	5914	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		125 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BA783			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000			100 mA									1.2pf @ 3V, 1MHz	PIN - Single	35V			1.2ohm @ 3mA, 1 GHz
BZX85B36-TAP	0.0561	RFQ	9088	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B36		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000									500 na @ 27 V						36 V	40 ohmios
SS8P6C-M3/87A	0.6600	RFQ	7690	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS8P6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	4A	700 MV @ 4 A		50 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GBU6B-M3/51	1.1425	RFQ	3074	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6	Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	250							1 v @ 6 a		5 µA @ 100 V		6 A		Fase única	100 V
V8pm15hm3/h	0.6100	RFQ	21	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8PM15	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			150 V		1.08 v @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	8A	460pf @ 4V, 1MHz
VI20M120C-M3/4W	0.7711	RFQ	3229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI20M120	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	120 V	10A	910 MV @ 10 A		700 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SRP300C-E3/54	-	RFQ	7073	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Srp300	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			150 V		1.3 V @ 3 A	100 ns	10 µA @ 150 V	-50 ° C ~ 125 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
SS22-E3/5BT	0.4500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS22	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VS-10ETF06S-M3	0.9658	RFQ	1927	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS22HE3_A/H	0.1878	RFQ	6340	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS22	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZM55C2V4-TR3	0.2800	RFQ	1386	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C2V4		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V						2.4 V	600 ohmios
MMBZ5228B-HE3-18	-	RFQ	9664	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5228		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000									10 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
BZX85B7V5-TAP	0.3800	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B7V5		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000									1 µA @ 4.5 V						7.5 V	3 ohmios
MCL103B-TR3	0.0753	RFQ	9672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	MCL103	Schottky		Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			30 V		600 MV @ 200 Ma		5 µA @ 20 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	-
GBLA04-E3/51	0.6630	RFQ	2385	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBLA04	Estándar		GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	400							1 v @ 4 a		5 µA @ 400 V		3 A		Fase única	400 V
V10150SHM3/4W	-	RFQ	9389	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	V10150	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			150 V		1.2 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
BU20105S-M3/45	-	RFQ	1891	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, BU-5S	BU20105	Estándar		isocink+™ bu-5s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800							1.05 v @ 10 a		5 µA @ 1000 V		20 A		Fase única	1 kV
BZX55C68-TAP	0.2300	RFQ	27	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C68		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 51 V						68 V	200 ohmios
Ssb44he3_a/i	0.4800	RFQ	34	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB44	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			40 V		490 MV @ 4 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
VS-15ETX06-1PBF	-	RFQ	9217	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	15etx06	Estándar		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs15etx061pbf	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		3.2 V @ 15 A	18 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
VS-40MT160KPBF	61.7593	RFQ	6344	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Banda	Activo		-	Monte del Chasis	Módulo mt-k	40mt160	Estándar		MT-K	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS40MT160KPBF	EAR99	8541.10.0080	15							1.51 v @ 100 a				40 A		Fase triple	1.6 kV
BZX384C5V1-G3-18	0.2900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C5V1		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000									2 µA @ 2 V						5.1 V	60 ohmios
SS2P6-E3/85A	-	RFQ	3089	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS2P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			60 V		700 MV @ 2 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	80pf @ 4V, 1 MHz
MSS1P6HM3/89A	-	RFQ	4436	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	MicroSMP	MSS1P6	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			60 V		680 MV @ 1 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	40pf @ 4V, 1 MHz
BZM55B3V0-TR	0.3200	RFQ	2525	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B3V0		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500							1.5 V @ 200 Ma		4 µA @ 1 V						3 V	600 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²