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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
FEPB6AT-E3/45	-	RFQ	8560	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Fepb6	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
RGP30BHE3/54	-	RFQ	6393	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Rgp30	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 3 A	150 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-30CTQ045SHM3	1.2877	RFQ	1193	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
DF01S-E3/45	0.8300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF01	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V		1 A		Fase única	100 V
VS-95PFR40T	6.8868	RFQ	6556	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95pFr40	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PFR40T	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
BZT03C68-TR	0.2640	RFQ	8690	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.88%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C68		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 51 V						68 V	80 ohmios
VS-15CTQ035Strl-M3	0.6730	RFQ	3350	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15CTQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4687-G3-18	0.0409	RFQ	5561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4687		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							4 µA @ 2 V						4.3 V
1N5822/54	-	RFQ	3531	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5822	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		525 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
VS-MBR745-M3	0.9100	RFQ	773	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR745	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C	7.5a	400pf @ 5V, 1MHz
VS-25CTQ045Strl-M3	0.9197	RFQ	1799	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	25CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB10H50HE3/81	-	RFQ	5725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB10	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		710 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
S07D-GS18	0.0875	RFQ	5583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	S07	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	700mA	4PF @ 4V, 1MHz
SBYV27-150-E3/54	0.4700	RFQ	2526	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Sbyv27	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.07 v @ 3 a	15 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
31GF6-M3/73	-	RFQ	5208	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	31GF6	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.6 v @ 3 a	30 ns	20 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
Au2pmhm3_a/h	0.4950	RFQ	1683	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Au2	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		2.5 v @ 2 a	75 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.3a	29pf @ 4V, 1 MHz
S1dhe3/5at	-	RFQ	3809	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
VI20120SG-M3/4W	0.5618	RFQ	7161	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	VI20120	Schottky		Un 262AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		1.33 V @ 20 A		250 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
V80100PW-M3/4W	-	RFQ	5213	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	V80100	Schottky		TO-3PW	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	40A	840 MV @ 40 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-50WQ03FNTRR-M3	0.3226	RFQ	2858	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	50WQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50WQ03FNTRRM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		460 MV @ 5 A		3 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	590pf @ 5V, 1MHz
VS-3EYH01HM3/H	0.5400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	3eyh01	Estándar		Slimsmaw (DO-221AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 3 A	30 ns	2 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	16pf @ 200V
VF30120SG-E3/4W	0.9182	RFQ	3038	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	VF30120	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		1.28 V @ 30 A		500 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
ZMM5256B-7	-	RFQ	3611	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	ZMM52		500 MW	Mini Melf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 23 V						30 V	49 ohmios
VS-VSKDS400/045	52.7200	RFQ	7391	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKDS400	Schottky		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKDS400045	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	100A	670 MV @ 200 A		20 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BZM55B4V3-TR	0.3200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	Bzm55b4v3		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V						4.3 V	600 ohmios
UH4PDC-M3/87A	-	RFQ	1211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	2A	1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-E5TX3006-M3	1.6000	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	E5TX3006	Estándar		TO20AC	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5TX3006-M3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 V @ 30 A	41 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
VS-80PFR120	5.0019	RFQ	8110	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	80pFr120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PFR120	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
SBLB8L40HE3/81	-	RFQ	2897	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SBLB8L40	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 8 A		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	8A	-
BZT52B5V6-HE3-08	0.3300	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B5V6		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							100 na @ 1 V						5.6 V	40 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²