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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
GL34J-E3/83	0.4100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	GL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	9,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.3 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
BZT52C22-HE3_A-08	0.0533	RFQ	9924	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			300 MW	SOD-123	descascar				112-BZT52C22-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000									100 na @ 17 V						22 V	55 ohmios
BZX84B39-HE3_A-08	0.0498	RFQ	6874	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-BZX84B39-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000									50 na @ 27.3 V						39 V	130 ohmios
BZM55C51-TR3	0.0368	RFQ	1933	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55C51		500 MW	Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 39 V						51 V	700 ohmios
HFA180NH40	-	RFQ	4915	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	HFA180	Estándar		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	60		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			400 V		1.35 V @ 180 A	140 ns	12 µA @ 400 V		180A	-
MMSZ4698-E3-18	0.0360	RFQ	8568	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ4698		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000									50 na @ 8.4 V						11 V
PTV22B-E3/85A	-	RFQ	3397	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV22		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 17 V						23.3 V	14 ohmios
BA782S-HE3-08	-	RFQ	6085	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		125 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BA782			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000			100 mA									1.25pf @ 3V, 1MHz	PIN - Single	35V			700mohm @ 3mA, 1 GHz
VS-1N1187R	-	RFQ	9625	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1187	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			300 V		1.7 V @ 110 A		10 Ma @ 300 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
AZ23C15-G3-18	0.0483	RFQ	7631	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C15		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 11 V						15 V	30 ohmios
1N5614GP-E3/73	-	RFQ	5698	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	1N5614	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	500 na @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	45pf @ 12V, 1 MHz
V15pm6hm3/i	0.3944	RFQ	4232	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V15pm6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			60 V		640 MV @ 15 A		1.2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	2300pf @ 4V, 1MHz
AZ23B30-E3-08	0.0509	RFQ	3713	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B30		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 22.5 V						30 V	80 ohmios
SML4752A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4752		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800									5 µA @ 25.1 V						33 V	45 ohmios
MMSZ5260C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	1126	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5260C-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000							900 MV @ 10 Ma		100 na @ 33 V						43 V	93 ohmios
SD103BWS-G3-08	0.0646	RFQ	8752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
TZM5234C-GS18	-	RFQ	9228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5234		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 4 V						6.2 V	7 ohmios
SS12P2LHM3_A/H	0.4534	RFQ	4229	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P2	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V		560 MV @ 12 A		1 ma @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	12A	930pf @ 4V, 1MHz
VS-MBRB1035TRRHM3	0.9365	RFQ	1663	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-MBRB1035TRRHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			35 V		840 MV @ 20 A		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	600pf @ 5V, 1MHz
BZX884B13L-G3-08	0.3200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx884l	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	0402 (1006 Métrica)			300 MW	DFN1006-2A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V						13 V	30 ohmios
AZ23B18-HE3-08	0.0785	RFQ	7619	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B18		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 14 V						18 V	50 ohmios
VX30170CHM3/P	1.5675	RFQ	3662	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VX30170CHM3/P	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	170 V	15A	840 MV @ 15 A		100 µA @ 170 V	-40 ° C ~ 175 ° C
DZ23C47-HE3_A-08	-	RFQ	8414	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-DZ23C47-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común								100 na @ 35 V						47 V	70 ohmios
VS-86HF20	10.6571	RFQ	7323	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	86HF20	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.2 V @ 267 A		9 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
VT2060CHM3/4W	-	RFQ	2790	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT2060	Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT2060CHM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	10A	650 MV @ 10 A		850 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
AZ23B51-E3-18	0.0509	RFQ	2398	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B51		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común								100 na @ 38 V						51 V	100 ohmios
VS-STPS1045BTRR-M3	0.9800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	STPS1045	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			45 V		630 MV @ 10 A		200 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	760pf @ 5V, 1MHz
BYV98-200-TR	1.2600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYV98	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.1 v @ 5 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	-
MBRF10H35-E3/45	-	RFQ	5576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF10	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			35 V		630 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
BYT28F-300-E3/45	-	RFQ	7283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	ByT28	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	300 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (29505)

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30,000,000

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15,000 m²