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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
VS-20MQ060NPBF	-	RFQ	6929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	20MQ060	Schottky	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS20MQ060NPBF	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		780 MV @ 2 A		50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	31pf @ 10V, 1 MHz
VS-25F80M	11.4300	RFQ	9211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	25f80	Estándar	DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 78 A			-65 ° C ~ 175 ° C	25A	-
VS-301ura200	-	RFQ	2518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	301ura200	Polaridad Inversa Estándar	DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS301ura200	EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
VS-302U60A	57.7200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre	Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	302U60	Estándar	DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.46 V @ 942 A			-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
VS-305UR160	-	RFQ	3739	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	305ur160	Polaridad Inversa Estándar	DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS305UR160	EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
VS-305UR250P4	-	RFQ	4562	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	305ur250	Polaridad Inversa Estándar	DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS305UR250P4	EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
VS-305ura250	-	RFQ	6104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	305ura250	Polaridad Inversa Estándar	DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS305ura250	EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
VS-UFB310CB40	19.6763	RFQ	6571	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB310	Estándar	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB310CB40	EAR99	8541.10.0080	160	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	155a	1.34 V @ 100 A	9 ns	50 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-UFB80FA40	16.4219	RFQ	2037	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB80	Estándar	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSUFB80FA40	EAR99	8541.10.0080	160	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	400 V	40A	1.39 v @ 30 a	68 ns	50 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKC196/04PBF	63.2740	RFQ	3921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKC196	Estándar	Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvskc19604pbf	EAR99	8541.10.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	400 V	97.5a			20 Ma @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKC196/08PBF	63.9060	RFQ	6143	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKC196	Estándar	Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKC19608PBF	EAR99	8541.10.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	800 V	97.5a			20 Ma @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKC91/12	42.1600	RFQ	8298	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKC91	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	50A			10 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKCS201/045	41.6300	RFQ	5240	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKCS201	Schottky	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKCS201045	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	45 V	100A	720 MV @ 100 A		10 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKCS301/045	-	RFQ	9481	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKCS301	Schottky	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VSVSKCS301045	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	45 V	150a	790 MV @ 150 A		10 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD320-16PBF	201.1700	RFQ	5008	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD320	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD32016PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1600 V	160A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD56/06	36.5930	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD5606	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	30A			10 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD56/08	36.9590	RFQ	7537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD5608	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	800 V	30A			10 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD71/10	37.5150	RFQ	7883	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD71	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD7110	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1000 V	40A			10 Ma @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD91/14	39.9850	RFQ	2936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD91	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD9114	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1400 V	50A			10 Ma @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKDS408/060	51.8890	RFQ	3879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKDS408	Schottky	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKDS408060	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	100A	740 MV @ 200 A		2.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKE250-04PBF	136.0300	RFQ	5028	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE250	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske25004pbf	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V				50 mA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	250a	-
VS-VSKE270-16PBF	152.5500	RFQ	6794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske27016pbf	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V				50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	270a	-
VS-VSKE270-20PBF	152.5500	RFQ	3809	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske27020pbf	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V				50 Ma @ 2000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	270a	-
VS-VSKE71/06	35.1660	RFQ	4857	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE71	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske7106	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V				10 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	80A	-
VS-VSKE91/12	37.9900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE91	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske9112	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.55 V @ 314 A		10 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	100A	-
VS-VSKJ250-16PBF	155.3500	RFQ	7533	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ250	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ25016PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1600 V	125a			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKJ270-12PBF	201.0700	RFQ	6273	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ270	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ27012PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1200 V	135a			50 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKJ320-16PBF	201.0700	RFQ	2206	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar	Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ32016PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1600 V	160A			50 mA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKJ71/12	35.7260	RFQ	7872	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo	Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKJ71	Estándar	Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKJ7112	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	1200 V	40A			10 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSUD360CW40	49.7200	RFQ	174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo	Monte del Chasis	TO-244AB	VSUD360	Estándar	TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSUD360CW40	EAR99	8541.10.0080	10	-	1 par Cátodo Común	400 V	510A	1.5 V @ 360 A	74 ns	1.28 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²