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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBR10H45-E3/45	-	RFQ	4305	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR10	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 10 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
BZD27C20P-M-08	-	RFQ	6072	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15 V				20 V	15 ohmios
VS-18TQ045-N3	-	RFQ	5700	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	18TQ045	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS18TQ045N3	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		600 MV @ 18 A		2 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	1400pf @ 5V, 1MHz
MBRB2560CT-E3/45	1.0839	RFQ	2810	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB2560	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	750 MV @ 15 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
Smzj3790bhm3_a/h	0.1815	RFQ	4105	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3790		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750							10 µA @ 8.4 V				11 V	6 ohmios
VS-41HF10	7.5095	RFQ	5384	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	41HF10	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 125 A		9 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	40A	-
BZG04-51-M3-08	0.1980	RFQ	5452	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-51		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 51 V				62 V
SML4742HE3_A/I	0.1434	RFQ	2454	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4742		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
TLZ33-GS08	0.0335	RFQ	9579	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ33		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma						33 V	65 ohmios
As1fghm3/i	0.1125	RFQ	4884	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Avalancha		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-AS1FGHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 1.5 A	1.3 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	8.8pf @ 4V, 1MHz
V60100C-E3/4W	2.9200	RFQ	615	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V60100	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	790 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA30TA60CPBF	-	RFQ	1782	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	HFA30	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	15a (DC)	1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
20L15T	-	RFQ	9220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	20L15	Schottky		TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		410 MV @ 19 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	-
VS-88-6676	-	RFQ	9645	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					88-6676				-				112-VS-88-6676			1
MMBZ5234C-G3-18	-	RFQ	9808	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5234		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 4 V				6.2 V	7 ohmios
AR3PJ-M3/86A	0.3185	RFQ	8827	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	AR3	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.6 v @ 3 a	140 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1 MHz
VS-MBRD330TRL-M3	0.2764	RFQ	1760	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD330	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSMBRD330TRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 3 A		200 µA @ 20 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	189pf @ 5V, 1 MHz
VSKY10301406-G4-08	0.0798	RFQ	2772	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	0502 (1406 Métrica)	VSKY10301406	Schottky		CLP1406-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		470 MV @ 1 A		100 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)	1A	230pf @ 0V, 1MHz
VSSA210HM3/61T	-	RFQ	8921	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SA210	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		700 MV @ 2 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1.7a	175pf @ 4V, 1MHz
123NQ100	-	RFQ	1492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-67 Half-Pak	123NQ100	Schottky		D-67 Half-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		910 MV @ 120 A		3 Ma @ 100 V		120a	2650pf @ 5V, 1MHz
BZX85B91-TR	-	RFQ	7287	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B91		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000							500 na @ 68 V				91 V	250 ohmios
Mpg06ghe3_a/53	0.1487	RFQ	5033	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
Ugb10dcthe3/45	-	RFQ	8257	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB10	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Ugb10dcthe3_a/p	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF10FPPBF	-	RFQ	8001	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	20etf10	Estándar		To20ac paqueto entero	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.31 v @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Rs2ghe3/5bt	-	RFQ	7194	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
ZMM5266B-13	-	RFQ	5701	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	ZMM52		500 MW	DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		ZMM5266B-13GI	EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 52 V				68 V	1.8 ohmios
1N5239B-TR	0.2300	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5239		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
RGL34AHE3/98	-	RFQ	4324	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	RGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	RGL34AHE3_A/H	EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
VBT2080C-M3/8W	0.8057	RFQ	7396	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	10A	810 MV @ 10 A		600 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-95PF40W	5.7340	RFQ	8421	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	95pf40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PF40W	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²