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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSC54-E3/57T | 0.5900 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SSC54 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 490 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | VS-87HFR120M | 24.6782 | ![]() | 2300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 87HFR120 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS87HFR120M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 V @ 267 A | -55 ° C ~ 150 ° C | 85a | - | ||||||||||
![]() | VS-G1217ur | - | ![]() | 4476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | G1217ur | - | 112-VS-G1217ur | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NSB8KThe3/81 | - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Rgp30blhe3/72 | - | ![]() | 2848 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Rgp30 | Estándar | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-E5TX3006-M3 | 1.6000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | E5TX3006 | Estándar | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-E5TX3006-M3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 30 A | 41 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||
![]() | BZG05C3V3-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C3V3 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 40 µA @ 1 V | 3.3 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | AR1PJHM3/85A | 0.1914 | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 1 a | 140 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | UH2B-M3/5BT | - | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | UH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 42pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBR20H90CThe3/45 | - | ![]() | 4670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR20 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 10A | 770 MV @ 10 A | 4.5 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | EGP10AHE3/73 | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | RGL34B-E3/83 | 0.1635 | ![]() | 6760 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | RGL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Rs1flk-m3/h | 0.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-40CTQ150STRLPBF | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 40ctq150 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 1.16 V @ 40 A | 50 µA @ 150 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | PTV11B-E3/85A | - | ![]() | 2898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV11 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 8 V | 11.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-12FR80 | 6.2000 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 12FR80 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.26 v @ 38 a | 12 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | IRKC91/16A | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | Irkc91 | Estándar | Add-a-pak® | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1600 V | 100A | 10 Ma @ 1600 V | ||||||||||||
![]() | 1N4934E-E3/54 | 0.3900 | ![]() | 1858 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4934 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SS3P4L-E3/87A | - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss3p4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 470 MV @ 3 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
FES8FT-E3/45 | 0.5429 | ![]() | 6431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Fes8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | GDZ16B-HG3-18 | 0.0523 | ![]() | 5972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ16 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 50 ohmios | ||||||||||||
![]() | AS1FMHM3/H | 0.4000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Avalancha | DO-219AB (SMF) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 A | 1.3 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 8.8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30CTQ080GSTRLP | - | ![]() | 4360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 30CTQ080 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VS30CTQ080GSTRLP | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 15A | 1.05 V @ 30 A | 280 µA @ 80 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | VS-T110HF40 | 33.5400 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | D-55 T-Módulo | T110 | Estándar | D-55 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 20 Ma @ 400 V | 110A | - | ||||||||||||
![]() | VS-VSKC320-04PBF | 201.1700 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Int-a-pak | VSKC320 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKC32004PBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 400 V | 40A | 50 mA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-15eth03Strrhm3 | 1.1846 | ![]() | 3712 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15eth03 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-15eth03StrrHM3TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 15 A | 40 ns | 40 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||
![]() | S1KA-E3/61T | - | ![]() | 7683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1K | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 3 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | B350A-E3/5AT | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | B350 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 720 MV @ 3 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 145pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SS5P3HM3/87A | - | ![]() | 1875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss5p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SE20PADHM3/I | 0.1122 | ![]() | 7097 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE20 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.6a | 13PF @ 4V, 1MHz |
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