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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-S1254	-	RFQ	5886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1254				-				112-VS-S1254			1
FESB8GT-E3/81	0.7822	RFQ	4600	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
GP10D-4003EHE3/54	-	RFQ	5242	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V					-	1A	-
BAT42WS-E3-18	0.3300	RFQ	2288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAT42	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		650 MV @ 50 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
VB20202G-M3/8W	1.8400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB20202	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	10A	920 MV @ 10 A		150 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-35APF12LHM3	3.8500	RFQ	7879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	35APF12	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.47 V @ 35 A	450 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	35a	-
VS-10ETF12STRPBF	-	RFQ	8726	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ETF12	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs10etf12strpbf	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.33 v @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
1N5819-E3/54	0.4200	RFQ	46	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5819	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
V20K150HM3/I	0.3320	RFQ	6445	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	8-Powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V20K150HM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	6,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.41 v @ 20 a		250 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.1A	970pf @ 4V, 1MHz
BZD27C27P-HE3-18	0.1536	RFQ	8557	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20 V						27 V	15 ohmios
1N4007GPEHE3/53	-	RFQ	2749	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4007	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-20CWT10TRR-E3	-	RFQ	3041	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto					20CWT10				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1
VS-70HFR140M	16.7658	RFQ	8319	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFR140	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFR140M	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.46 V @ 220 A			-65 ° C ~ 150 ° C	70a	-
GDZ8V2B-HG3-08	0.0509	RFQ	1300	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ8V2		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								500 na @ 5 V						8.2 V	30 ohmios
VS-SD1100C04L	101.0033	RFQ	5962	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD1100	Estándar		B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.31 V @ 1500 A		15 Ma @ 400 V		1170A	-
VS-8CSH01HM3/87A	0.4146	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	8CSH01	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	4A	950 MV @ 4 A	25 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SS1FH10-M3/H	0.4600	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS1FH10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 1 A		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	70pf @ 4V, 1MHz
1N4448W-E3-08	0.2600	RFQ	28	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123	1N4448	Estándar		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		720 MV @ 5 Ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
VS-80-7628	-	RFQ	5510	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7628				-				112-VS-80-7628			1
VS-43CTQ100-1-M3	2.2900	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	43ctq100	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		1 ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BYVF32-200-E3/45	1.7300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	BYVF32	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-80-7897	-	RFQ	2930	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					80-7897				-				112-VS-80-7897			1
M10H100CThe3_A/P	-	RFQ	8727	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	M10H100	Schottky		Un 220-3	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	5A	850 MV @ 10 A		3.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
MPG06G-E3/53	0.1487	RFQ	9103	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BYM10-200-E3/96	0.4100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym10	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
AZ23B5V6-G3-08	0.0594	RFQ	2499	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B5V6		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 1 V						5.6 V	40 ohmios
GLL4743A-E3/97	0.3168	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4743		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								5 µA @ 9.9 V						13 V	10 ohmios
BZG05C68-M3-08	0.3900	RFQ	2975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.88%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C68		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 51 V						68 V	130 ohmios
BZG05C75-HM3-18	0.1172	RFQ	1084	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05C75		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V						75 V	135 ohmios
GBL005-E3/45	0.7456	RFQ	8984	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBL005	Estándar		GBL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000						1.1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		3 A		Fase única	50 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²