SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SB1H90-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB1H90-E3/54 0.3500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SB1H90 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 770 MV @ 1 A 1 µA @ 90 V 175 ° C (Máximo) 1A -
AZ23C7V5-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C7V5-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 7494 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C7V5 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 par Ánodo Común 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
ES1C-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1C-M3/5AT 0.1007
RFQ
ECAD 9717 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 920 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
VS-S1639 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1639 -
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1639 - 112-VS-S1639 1
RS3JHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs3jhe3/57t -
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 2.5 A 250 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
VS-40APS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40APS16-M3 2.2593
RFQ
ECAD 4771 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 40APS16 Estándar To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.14 V @ 40 A 100 µA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C 40A -
BZG05B3V6-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V6-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG05B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 1.94% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA Bzg05b3v6 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 20 µA @ 1 V 3.6 V 20 ohmios
BZW03C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C16-TR -
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZW03 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sod-64, axial BZW03 1.85 W Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 12 V 16 V 1.3 ohmios
GDZ13B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ13B-HG3-18 0.0523
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ-G Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ13 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 V 13 V 30 ohmios
MMSZ5259C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5259C-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 6502 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5259 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
VS-72HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HF120 11.4700
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 72HF120 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS72HF120 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.35 V @ 220 A -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
BZG05C13-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C13-HM3-08 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6.54% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05C13 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 10 V 13 V 10 ohmios
GDZ3V3B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V3B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, GDZ Tape & Reel (TR) Activo ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 GDZ3V3 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 20 µA @ 1 V 3.3 V 120 ohmios
VS-80-7383 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7383 -
RFQ
ECAD 2483 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre 80-7383 - 112-VS-80-7383 1
VIT1080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vit1080S-M3/4W 0.5273
RFQ
ECAD 5446 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Vit1080 Schottky Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
GP10B-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-M3/54 -
RFQ
ECAD 9503 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial GP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
EGP31A-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP31A-E3/C 0.8118
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial EGP31 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 117pf @ 4V, 1MHz
VS-42CTQ030S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030S-M3 2.2200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 42CTQ030 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 480 MV @ 20 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR2545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2545CT-N3 -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR25 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-MBR2545CT-N3GI EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 820 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETS08STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS08STRPBF -
RFQ
ECAD 7643 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 20ets08 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vs20ets08Strrpbf EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
DZ23C8V2-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C8V2-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 6855 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos DZ23-G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 par Cátodo Común 100 na @ 6 V 8.2 V 7 ohmios
BZG05B75-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B75-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 3363 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05B75 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 56 V 75 V 135 ohmios
SL12HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL12HE3_A/H -
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SL12 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 445 MV @ 1 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1.5a -
BZT52C10-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C10-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52C10 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 7.5 V 10 V 5.2 ohmios
VS-1N1187R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1187R -
RFQ
ECAD 9625 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1187 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.7 V @ 110 A 10 Ma @ 300 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
BZX384C7V5-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C7V5-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C7V5 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZD17C82P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C82P-E3-18 0.1452
RFQ
ECAD 6684 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD17C82 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62 V 82 V
V35PW22HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V35pw22hm3/i 2.7300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Schottky Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 990 MV @ 35 A 350 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C 35a 1320pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5261B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5261B-E3-08 -
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5261 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 36 V 47 V 105 ohmios
HFA16TA60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA16TA60C -
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 HFA16 Estándar Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 8a (DC) 1.7 V @ 8 A 55 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock