SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRB1090-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090-M3/8W 0.7447
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB1090 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DF01MA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01MA-E3/45 0.2528
RFQ
ECAD 2673 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) DF01 Estándar DFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
MMBZ5230C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5230C-G3-18 -
RFQ
ECAD 3556 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
BZG03B240TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B240TR -
RFQ
ECAD 3043 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03B Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03 1.25 W DO-214AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 180 V 240 V 850 ohmios
VB30120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30120S-M3/4W 0.8938
RFQ
ECAD 8978 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab VB30120 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 1.1 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
MBR2545CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2545 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 820 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
VSSAF5M6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M6-M3/I 0.4500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS®, SLIMSMA ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Saf5m6 Schottky DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 660 MV @ 5 A 350 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 5A 580pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5247B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5247B-HE3_A-08 0.0549
RFQ
ECAD 2018 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar 112-MMSZ5247B-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 15,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
SMZG3806A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZG3806A-E3/52 -
RFQ
ECAD 7478 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMZG38 1.5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 750 5 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
TZMC13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC13-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, TZM Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 TZMC13 500 MW Sod-80 mínimo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
BZG05C11-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C11-E3-TR -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG05C Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 8.2 V 11 V 8 ohmios
SF4004-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF4004-TR 0.3267
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Sod-57, axial SF4004 Avalancha Sod-57 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 76pf @ 4V, 1MHz
ZMM5223B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5223B-7 -
RFQ
ECAD 5578 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA ZMM52 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
SML4754HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4754HE3/61 -
RFQ
ECAD 6139 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 10% 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA SML4754 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
BZD27B6V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B6V2P-M3-08 0.4200
RFQ
ECAD 7748 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27b-m Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB Bzd27b6v2 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 6.2 V 3 ohmios
VT1080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080C-E3/4W 0.5409
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 VT1080 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VT1080CE34W EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 5A 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-40CTQ150STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150STRLPBF -
RFQ
ECAD 4940 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 40ctq150 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.16 V @ 40 A 50 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo)
2KBP01M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP01M-E4/72 -
RFQ
ECAD 7998 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2KBP01 Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
UH6PJHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh6pjhm3_a/i -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN UH6 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3 V @ 6 A 25 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 30pf @ 4V, 1 MHz
KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-E4/51 -
RFQ
ECAD 4193 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM KBP04 Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
VS-S1283 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1283 -
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre S1283 - 112-VS-S1283 1
BZX384B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B6V2-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384B6V2 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
BZD27B22P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B22P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 9859 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZD27B Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27B22 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22 V 15 ohmios
NSF8JTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsf8jthe3_b/p -
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada NSF8 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 55pf @ 4V, 1 MHz
AZ23B33-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B33-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 4392 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23B33-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 50 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
GI822-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI822-E3/73 -
RFQ
ECAD 2026 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero P600, axial GI822 Estándar P600 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 5 a 200 ns 10 µA @ 200 V -50 ° C ~ 150 ° C 5A 300pf @ 4V, 1MHz
1N4150W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 1N4150 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
EGP30G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30G-E3/73 -
RFQ
ECAD 3213 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL EGP30 Estándar GP20 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
DZ23C39-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C39-E3-08 0.0415
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos DZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 1 par Cátodo Común 100 na @ 29 V 39 V 90 ohmios
BAS581-02V-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS581-02V-HG3-08 0.0536
RFQ
ECAD 6081 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Schottky Sod-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-BAS581-02V-HG3-08TR EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 370 MV @ 1 MA 500 na @ 30 V 125 ° C 30mera 2pf @ 1v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock