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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
TLZ11-GS18	0.0335	RFQ	6238	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ11		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma						11 V	10 ohmios
HFA70NC60CSL	-	RFQ	7672	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	HFA70	Estándar		D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*HFA70NC60CSL	EAR99	8541.10.0080	20		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	56a (DC)	1.5 V @ 35 A	110 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5241C-TAP	0.0288	RFQ	5545	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5241		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 8.4 V				11 V	22 ohmios
Smzj3800bhe3_a/i	-	RFQ	3423	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3800		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 22.8 V				30 V	26 ohmios
GURB5H60HE3/81	-	RFQ	3592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Gurb5	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 5 A	30 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
SS23-E3/52T	0.4500	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Ss23	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
Ss1fl4hm3/i	0.1069	RFQ	9451	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS1FL4	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	115pf @ 4V, 1 MHz
MURS320-E3/9AT	0.7500	RFQ	4484	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Murs320	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		875 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
MBRB20H100CTGHE3/4	-	RFQ	3278	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	770 MV @ 10 A		4.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
AZ23B51-G3-08	0.0594	RFQ	8198	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B51		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 38 V				51 V	100 ohmios
BZX84B4V7-G3-18	0.0389	RFQ	7283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B4V7		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 2 V				4.7 V	80 ohmios
Smzj3799bhm3_b/i	0.1500	RFQ	1291	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3799		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SMZJ3799BHM3_B/ITR	EAR99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
BZX384B51-E3-18	0.0360	RFQ	5740	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B51		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 35.7 V				51 V	180 ohmios
ES2FHE3/5BT	-	RFQ	8729	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.1 v @ 2 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-15EWH06FNTR-M3	1.3100	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15ewh06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		2.1 v @ 15 a	36 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
MBRB16H60HE3/45	-	RFQ	8305	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB16	Schottky		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		730 MV @ 16 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
GP10-4002E-M3/54	-	RFQ	4794	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero		GP10				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500
SB3H100-E3/54	0.6300	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB3H100	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 3 A		20 µA @ 100 V	175 ° C (Máximo)	3A	-
Ss34he3_a/i	-	RFQ	5826	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss34	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
MMBZ5265C-G3-18	-	RFQ	7774	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5265		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
VS-MUrB1020CTHM3	0.7613	RFQ	7274	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1020	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	990 MV @ 5 A	24 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
V40PWM63CHM3/I	0.6821	RFQ	5595	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V40PWM63CHM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	740 MV @ 20 A		30 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
Byt53d-tap	0.2970	RFQ	6069	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	ByT53	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.9a	-
VS-12CWQ03FN-M3	0.9200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	12CWQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-12CWQ03FN-M3GI	EAR99	8541.10.0080	75		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	6A	470 MV @ 6 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-50PFR160W	4.9245	RFQ	5699	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pFr160	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS50PFR160W	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.5 V @ 125 A			-55 ° C ~ 160 ° C	50A	-
1N5060TR	0.6000	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	1N5060	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 2.5 A	4 µs	1 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	40pf @ 0V, 1 MHz
MPG06K-E3/54	0.4400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27B12P-HE3-18	0.1238	RFQ	3906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27B	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 9.1 V				12 V	7 ohmios
BZT52B16-HE3-18	0.0436	RFQ	7200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B16		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 12 V				16 V	13 ohmios
GP10J-4005HE3/73	-	RFQ	2422	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V					-	1A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²