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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
S3B-E3/57T	0.5300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3B	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
VS-20ETF02Strl-M3	1.5779	RFQ	6504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20etf02	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 20 A	160 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
TZM5223F-GS08	-	RFQ	9127	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5223		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		75 µA @ 1 V				2.7 V	1300 ohmios
V8pal45hm3_a/i	0.9700	RFQ	36	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	V8PAL45	Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		430 MV @ 4 A		1.85 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4A	1400pf @ 4V, 1MHz
1N4002E-E3/54	0.0957	RFQ	9658	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
MBRF10100-E3/4W	1.4100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1010	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
FEPB16FT-E3/81	1.0574	RFQ	7687	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SE10DTG-M3/I	1.1300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete		Estándar		SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.15 V @ 10 A	3 µs	15 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.9a	67pf @ 4V, 1MHz
163CNQ100	-	RFQ	4076	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	To-249aa	163cnq	Schottky		To-249aa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	80A	980 MV @ 80 A		1.5 Ma @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BAT54A-E3-08	0.3200	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Ánodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
BY29X-600HE3/45	-	RFQ	7660	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	BY229	Estándar		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
RMPG06JHE3_A/53	0.1792	RFQ	9348	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKD270-08	-	RFQ	4327	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	800 V	270a
FES16HT-E3/45	1.5900	RFQ	975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VS-6TQ040STRPBF	-	RFQ	1718	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	6TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS6TQ040StrrPBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
FEPB16GT-E3/45	0.9405	RFQ	6883	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBR1645-2HE3/45	-	RFQ	4252	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR16	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		750 MV @ 16 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4003GPHM3/54	-	RFQ	7326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 200 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
Rs1flm-m3/h	0.3400	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	500 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
FES16FTHE3/45	-	RFQ	4886	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	Fes16	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.3 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
VX40M60CHM3/P	1.0989	RFQ	4042	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-VX40M60CHM3/P	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	20A	620 MV @ 20 A		500 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
V2PL45HM3/H	0.3500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PL45	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		560 MV @ 2 A		350 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2a	300pf @ 4V, 1MHz
BYW82-TR	1.0900	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	Byw82	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 v @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
BYD13KGP-E3/54	-	RFQ	9980	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V			3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VSSAF3L45HM3_A/I	0.5100	RFQ	1357	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SLIMSMA ™	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221AC, SMA Flat Leads	SAF3L45	Schottky		DO-221AC (SLIMSMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		450 MV @ 3 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	425pf @ 4V, 1MHz
VS-6FLR60S02	6.0812	RFQ	1608	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	6FLR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 v @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	6A	-
MBRB1090-M3/8W	0.7447	RFQ	1059	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB1090	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		90 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
ByT28F-300HE3_A/P	-	RFQ	2770	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	ByT28	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SBLF1030HE3/45	-	RFQ	4308	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	SBLF1030	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 10 A		1 ma @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C	10A	-
8TQ060	-	RFQ	6285	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	8TQ060	Schottky		TO20AC	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*8TQ060	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		720 MV @ 8 A		550 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²