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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MPG06MHE3/54	-	RFQ	9873	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
UG18DCT-E3/45	-	RFQ	6001	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	UG18	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.1 v @ 9 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
MSS1P6HM3/89A	-	RFQ	4436	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	MicroSMP	MSS1P6	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		680 MV @ 1 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	40pf @ 4V, 1 MHz
VS-8etU04SHM3	0.7727	RFQ	2212	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etu04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 8 A	43 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
VS-80CPQ150-N3	10.1900	RFQ	473	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	80CPQ150	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	40A	860 MV @ 40 A		200 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Uh4pbchm3_a/h	0.3923	RFQ	7403	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	UH4	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.05 v @ 2 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	21pf @ 4V, 1 MHz
Bym11-1000he3_a/i	-	RFQ	7798	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	Bym11	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Bym11-1000he3_b/i	EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKD236/12PBF	66.6933	RFQ	6828	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD236	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKD23612PBF	EAR99	8541.10.0080	15	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	1200 V	115a			20 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SL44HE3/9AT	-	RFQ	2844	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SL44	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		440 MV @ 4 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	4A	-
BZT52C27-HE3-18	0.0378	RFQ	4000	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT52	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C27		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 20 V				27 V	80 ohmios
MMBZ5258B-E3-08	-	RFQ	8803	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5258		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 27 V				36 V	70 ohmios
EGP20G-E3/73	-	RFQ	2655	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	EGP20	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.25 v @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	45pf @ 4V, 1MHz
BYWB29-50-E3/45	0.6674	RFQ	7911	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Bywb29	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	8A	-
BZX84C43-G3-08	0.0353	RFQ	5148	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C43		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 30.1 V				43 V	150 ohmios
V3P6L-M3/H	0.3700	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V3P6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		450 MV @ 1.5 A		900 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2.3a	450pf @ 4V, 1 MHz
VS-83CNQ080AslPBF	-	RFQ	5957	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	83CNQ080	Schottky		D-61-8-SL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS83CNQ080ASLPBF	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	40A	810 MV @ 40 A		1.5 Ma @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
TZM5231B-GS08	0.2300	RFQ	70	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5231		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V
VS-MBRD340TRL-M3	0.2764	RFQ	6615	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD340	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSMBRD340TRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 3 A		200 µA @ 20 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	189pf @ 5V, 1 MHz
SS12P4C-M3/86A	1.0100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS12P4	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	6A	520 MV @ 6 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C
GI810HE3/54	-	RFQ	9200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	GI810	Estándar		DO-204AC (DO-15)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.2 v @ 1 a	750 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
MMBZ4689-G3-08	-	RFQ	6220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4689		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							10 µA @ 3 V				5.1 V
VS-42CTQ030SL-M3H	-	RFQ	2846	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			-	-	42CTQ030	-		-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-42CTQ030SL-M3H	EAR99	8541.10.0080	800	-	-		-				-
Byg22b-e3/tr	0.4700	RFQ	66	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg22	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	-
MBRF1660HE3/45	-	RFQ	8547	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF16	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		750 MV @ 16 A		1 ma @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Byt54g-tap	0.2772	RFQ	7184	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byt54	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 v @ 1 a	100 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.25a	-
80cnq040asl	-	RFQ	7164	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	D-61-8-SL	80cnq	Schottky		D-61-8-SL	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*80CNQ040Asl	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	40A	520 MV @ 40 A		5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Byt54m-tap	0.7400	RFQ	2519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byt54	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.5 v @ 1 a	100 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.25a	-
Tzx3v0c-tr	0.2400	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx3v0		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 500 MV				3 V	100 ohmios
VS-U5FX60FA60	21.9200	RFQ	160	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	VS-U5FX	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-U5FX60FA60	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	30A (DC)	2.1 V @ 30 A	57 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
MB10H90CThe3_a/i	-	RFQ	2704	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MB10H90	Schottky		Un 263ab	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	90 V	5A	760 MV @ 5 A		3.5 µA @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²