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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ss26she3/5at | - | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 2 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | EGP30D-E3/54 | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | EGP30 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | MBRB2050CT-E3/81 | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 10A | 800 MV @ 10 A | 150 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | VX40100CHM3/P | 1.1336 | ![]() | 1068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VX40100CHM3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 20A | 730 MV @ 20 A | 650 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
GBLA02-M3/45 | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA02 | Estándar | GBL | descascar | 1 (ilimitado) | 112-GBLA02-M3/45 | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||
VS-115CNQ015APBF | - | ![]() | 7104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-61-8 | 115CNQ015 | Schottky | D-61-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 55a | 370 MV @ 55 A | 20 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | GP10D-6453M3/73 | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-10CDH06-M3/I | 1.2200 | ![]() | 405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | 10CDH06 | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 5A | 1.5 V @ 5 A | 35 ns | 3 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | VS-MURD620CTHM3 | 1.8300 | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Murd620 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 1 v @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | V2PL63LHM3/H | 0.4100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | V2PL63 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 2 A | 50 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2a | 360pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | BAS386-TR | 0.4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BAS386 | Schottky | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 900 MV @ 100 Ma | 5 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 880pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SMBZ5921B-E3/52 | 0.1294 | ![]() | 3637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5921 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | BYM10-800HE3/97 | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM10-800HE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BZD17C5V6P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 4900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C5V6 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | ||||||||||||||
![]() | VS-30BQ060TRPBF | - | ![]() | 2725 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 30BQ060 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | VS-20MQ040HM3/5AT | 0.0932 | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 20MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 690 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 38pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | SMZJ3791A-E3/5B | - | ![]() | 5893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
![]() | RGF1MHE3_A/H | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214BA | RGF1 | Estándar | DO-214BA (GF1) | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8.5pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1473 | - | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | 112-VS-VSHPS1473 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VX60M45PW-M3/P | 1.7325 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Vx60m | Schottky | Un 247ad | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-VX60M45PW-M3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 600 MV @ 30 A | 450 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | SD103BW-HE3-08 | 0.0570 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VLZ16-GS08 | - | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ16 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-70HFR10M | 17.0803 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 70HFR10 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS70HFR10M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | ||||||||||||
BZX84C18-HE3-08 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C18 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VF60120C-M3/4W | 2.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | VF60120 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 30A | 950 MV @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | MBRF2560CT-E3/45 | 1.1317 | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF2560 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
VS-E5TX0812-M3 | 1.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | E5TX0812 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-E5TX0812-M3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.4 v @ 8 a | 87 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | Byg20ghe3_a/h | 0.5100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 1.5 A | 75 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | 8eth03-1 | - | ![]() | 6366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | 8eth03 | Estándar | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 v @ 8 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | SF5406-TR | 1.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | SF5406 | Estándar | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - |
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