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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-MBR1635-M3 | 0.7077 | ![]() | 4287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR1635 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | V60DM60CHM3/I | 2.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V60DM60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 30A | 710 MV @ 30 A | 2.1 Ma @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | VT3060C-E3/4W | 1.4200 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | VT3060 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 570 MV @ 15 A | 2 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Murs360she3_a/i | 0.1518 | ![]() | 6234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Murs360 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 v @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | Au3pdhm3/87a | - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Au3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.9 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 72pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-40L15CT-N3 | - | ![]() | 5474 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40L15 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-40L15CT-N3GI | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 520 MV @ 40 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | SL23HE3/52T | - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SL23 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 440 MV @ 2 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | Smzj3803bhm3/h | - | ![]() | 9480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||
![]() | TZS4690B-GS08 | - | ![]() | 1744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZS4690 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | ||||||||||||||
![]() | BZX384C15-HE3-18 | 0.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C15 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||
AZ23B18-HE3-08 | 0.0785 | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B18 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | Byt54a-tr | 0.2574 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | Byt54 | Avalancha | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.5 v @ 1 a | 100 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.25a | - | ||||||||||
![]() | BZX55C6V2-TR | 0.1900 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C6V2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | VBT3060G-E3/4W | 0.5483 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT3060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 730 MV @ 15 A | 850 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ5264B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5264 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 46 V | 60 V | 170 ohmios | |||||||||||||
![]() | ZM4754A-GS18 | 0.1089 | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4754 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | ZM4754AGS18 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD27B200P-M3-08 | 0.4200 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b-m | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27B200 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBR40L15CW | - | ![]() | 9076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR40 | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 420 MV @ 20 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||
![]() | SE10FD-M3/H | 0.4900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SE10 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 1 a | 780 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 7.5pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B4V3-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B4V3 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4.3 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Vit3060chm3/4W | - | ![]() | 9067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Vit3060 | Schottky | Un 262AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 700 MV @ 15 A | 1.2 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | FESB16BThe3_A/P | 1.3530 | ![]() | 8400 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FESB16 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 175pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX384C5V1-G3-18 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C5V1 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||
![]() | V12p15hm3/h | 0.4373 | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V12p15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 12 a | 250 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||||||||||
![]() | SE30DT12-M3/I | 2.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | SE30DT12 | Estándar | SMPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.29 v @ 30 a | 3.4 µs | 10 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 132pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX85C62-TAP | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85C62 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||||
Fese8ht-E3/45 | - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Fese8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | GP02-20HM3/73 | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 3 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BAV23C-G3-18 | 0.0539 | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BAV23C-G | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | BZD27B7V5P-E3-08 | 0.1155 | ![]() | 5050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | Bzd27b7v5 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µA @ 3 V | 7.5 V | 2 ohmios |
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