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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZT03D120-TAP	-	RFQ	8953	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5.42%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 91 V						120 V	250 ohmios
By228tr	1.1300	RFQ	725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BY228	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1500 V		1.5 V @ 5 A	20 µs	5 µA @ 1500 V	140 ° C (Máximo)	3A	-
GLL4753A-E3/97	0.3168	RFQ	5353	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	GLL4753		1 W	Melf do-213ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 27.4 V						36 V	50 ohmios
VS-MBR4045CT-M3	0.8210	RFQ	5523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR4045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	780 MV @ 40 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
RGP10DHE3/53	-	RFQ	1665	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX584C2V7-G3-08	0.3000	RFQ	576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							20 µA @ 1 V						2.7 V	75 ohmios
BAV200-GS08	0.0281	RFQ	9744	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BAV200	Estándar		Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	12,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 50 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
Tzx8v2c-tr	0.2300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx8v2		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V						8.2 V	20 ohmios
GDZ9V1B-E3-18	0.0360	RFQ	2302	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Gdz	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ9V1		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							500 na @ 6 V						9.1 V	30 ohmios
KBP005M-E4/45	-	RFQ	4721	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBPM	KBP005	Estándar		KBPM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30					1 V @ 1 A		5 µA @ 50 V		1.5 A		Fase única	50 V
BZX584C3V9-G3-08	0.3000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							3 µA @ 1 V						3.9 V	85 ohmios
GP10GE-110E3/93	-	RFQ	3597	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			-	-	GP10			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1	-							-	-	-
Smzj3794bhe3_b/i	0.1500	RFQ	7772	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3794		1.5 W	DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-SMZJ3794BHE3_B/ITR	EAR99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 12.2 V						16 V	10 ohmios
UF5405-E3/54	0.6000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	UF5405	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.7 v @ 3 a	75 ns	10 µA @ 500 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	36pf @ 4V, 1 MHz
V10pm15hm3/i	0.3201	RFQ	4704	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V10PM15	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.08 v @ 10 a		200 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	680pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4703-E3-08	-	RFQ	1118	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4703		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 12.1 V						16 V
BZT03C30-TAP	0.6400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 6.67%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C30		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 22 V						30 V	15 ohmios
BY252GP-E3/54	-	RFQ	8454	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	BY252	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 3 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1 MHz
VS-12FL20S02	5.1547	RFQ	8936	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12FL20	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 v @ 12 a	200 ns	50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
VS-VSKCS440/030	52.4760	RFQ	8330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKCS440	Schottky		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKCS440030	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	30 V	220a	680 MV @ 220 A		20 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKDS440/030	52.8160	RFQ	4194	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSkds440	Schottky		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKDS440030	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	110A	680 MV @ 220 A		20 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
UH3C-M3/9at	-	RFQ	3793	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	UH3	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.05 v @ 3 a	40 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.5a	42pf @ 4V, 1 MHz
VS-6ESU06-M3/86A	0.6300	RFQ	36	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6esu06	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 6 A	58 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
SMPZ3937B-M3/84A	0.1027	RFQ	4345	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	SMPZ3937		500 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 25.1 V						33 V	33 ohmios
VS-10WQ045FNTRLPBF	-	RFQ	6643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	10WQ045	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 10 A		1 ma @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	760pf @ 5V, 1MHz
MMSZ5226B-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	MMSZ5226		500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							25 µA @ 1 V						3.3 V	28 ohmios
VS-42CTQ030STRLHM3	1.4649	RFQ	6903	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	42CTQ030	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	20A	480 MV @ 20 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C27P-E3-18	0.1492	RFQ	4643	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD17C27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20 V						27 V
BZX84B4V3-HE3-08	0.0331	RFQ	2208	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Bzx84b4v3		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 1 V						4.3 V	90 ohmios
ZMM5245B-7	-	RFQ	5362	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	ZMM52		500 MW	Mini Melf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 11 V						15 V	16 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²