SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
UG8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 UG8D Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 8 a 30 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
VS-242NQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-242NQ030PBF 29.9100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Half-Pak 242NQ030 Schottky D-67 Half-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 540 MV @ 240 A 20 Ma @ 30 V 240a 14800pf @ 5V, 1MHz
GP30MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30MHE3/54 -
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial GP30 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.400 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BZX55F8V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F8V2-TR -
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 1% 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
MBR2035CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2035CT -
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 10A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
GF1G/1754 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1G/1754 -
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214BA GF1 Estándar DO-214BA (GF1) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
ES07B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS18 0.4200
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES07 Estándar DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 980 MV @ 1 A 25 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a 4PF @ 4V, 50MHz
VS-30CPF06PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPF06PBF -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 30CPF06 Estándar To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.41 v @ 30 a 160 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
BZG05B51-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B51-M3-08 0.1980
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG05B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05B51 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 39 V 51 V 115 ohmios
VS-40HFL100S05M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL100S05M 22.8068
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 40hfl100 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS40HFL100S05M EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.95 V @ 125.6 A -40 ° C ~ 125 ° C 40A -
US1M/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1M/1 -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
BYW83-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW83-TR 0.5247
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Sod-64, axial Byw83 Avalancha Sod-64 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
VS-T85HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HF60 31.8150
RFQ
ECAD 9536 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo Monte del Chasis D-55 T-Módulo T85 Estándar D-55 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 20 Ma @ 600 V 85a -
RGP10KEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KEHE3/53 -
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial RGP10 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SX073H045S4PT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SX073H045S4PT -
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto Montaje en superficie Morir SX073 Schottky Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
BZT52B3V3-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-HE3-08 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZT52 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52B3V3 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3.3 V 80 ohmios
Z4KE160A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE160A-E3/73 -
RFQ
ECAD 8555 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Z4ke160 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 500 Ma 500 na @ 121.6 V 160 V 1100 ohmios
AZ23C5V1-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C5V1-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 2190 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23C5V1-HE3_A-08TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
30CTQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CTQ045 -
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 30ctq Schottky Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 620 MV @ 15 A 2 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C
VS-30BQ100TRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ100TRPBF -
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC 30BQ100 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 3 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BYM07-100HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-100HE3_A/I -
RFQ
ECAD 5472 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) BYM07 Estándar DO-213AA (GL34) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Bym07-100he3_b/i EAR99 8541.10.0070 9,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 500 Ma 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 500mA 7pf @ 4V, 1 MHz
UF4004-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4004-E3/73 0.5000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
MBRF10H90CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H90CThe3/45 -
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 760 MV @ 5 A 3.5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C
SE20PABHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PABHM3/I 0.1122
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO220AA SE20 Estándar DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 1 A 1.2 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 13PF @ 4V, 1MHz
MMBD6050-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD6050-G3-18 0.0306
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD6050 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1.1 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA -
S3A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3A-E3/9AT 0.1539
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
RS1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1d-e3/5at 0.4700
RFQ
ECAD 2355 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MBRB15H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H60CThe3/45 -
RFQ
ECAD 3257 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB15 Schottky Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
VF30100SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100SG-E3/4W 1.5400
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos TMBS® Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA VF30100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 30 A 350 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
SE8D20JHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D20JHM3/I 0.5300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar Slimsmaw (DO-221AD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 1.2 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 12PF @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock