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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FEP16GT-1HE3/45 | - | ![]() | 8853 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FEP16 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 16A | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRB1650HE3/45 | - | ![]() | 2021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB16 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | BAQ33-GS18 | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BAQ33 | Estándar | Sod-80 mínimo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 100 Ma | 1 na @ 15 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-65PQ015PBF | - | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 65pq015 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 500 MV @ 65 A | 18 mA @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 65a | - | |||||||||||
VS-ETU1506-M3 | 1.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | ETU1506 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.9 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | SS22HE3/5BT | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | S2khe3_a/h | 0.1119 | ![]() | 1815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2K | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 V @ 1.5 A | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SE10DJHM3/I | 0.3960 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | SE10 | Estándar | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 10 A | 3 µs | 15 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 67pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
SB5H100HE3/54 | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB5H100 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 5 A | 200 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||
![]() | SS5P4HM3/86A | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | SS5P4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 5 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VSS8D5M12-M3/H | 0.4100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S8d5 | Schottky | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 620 MV @ 2.5 A | 350 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 2.2a | 460pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Rs1pdhm3_a/i | 0.3700 | ![]() | 1715 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Rs1p | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SBYV27-100-E3/54 | 0.5200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Sbyv27 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.07 v @ 3 a | 15 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Rs1d-e3/61t | 0.4700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RS1D | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-45EPS12L-M3 | 3.0500 | ![]() | 598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | 45eps12 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.14 V @ 45 A | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 45a | - | |||||||||||
![]() | RGP20JHE3/54 | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | RGP20 | Estándar | GP20 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.400 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 v @ 2 a | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | MBRB1060HE3/45 | - | ![]() | 2752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB10 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 800 MV @ 10 A | 100 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
BAV23C-E3-18 | 0.0469 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BAV23C | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 200MA (DC) | 1 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | VS-MBRD650CT-M3 | 0.3353 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD650 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRD650CTM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 3A | 700 MV @ 3 A | 100 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VS-E5TH1512S2LHM3 | 2.5100 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.5 V @ 15 A | 95 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||||
![]() | EGL41DHE3/96 | - | ![]() | 7754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | EGL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N3614GP-M3/73 | - | ![]() | 3716 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 1N3614 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ugb8bthe3_a/p | - | ![]() | 7150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | UGB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 v @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
DZ23C9V1-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 3709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | VSS8D2M15HM3/H | 0.4500 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S8d2 | Schottky | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 700 MV @ 1 A | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Byd13dgphe3/73 | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BYD13 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | FEP30AP-E3/45 | 1.6062 | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Fep30 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 950 MV @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | S3D/57T | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3d | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | UG8HCT-E3/45 | - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | UG8 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 4A | 1.75 v @ 4 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Rs3ahe3_a/h | 0.2620 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3a | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz |
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