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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
TZQ5248B-GS08	0.0303	RFQ	1736	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5248		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 14 V						18 V	21 ohmios
AZ23C3V3-HE3_A-18	-	RFQ	7827	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23C3V3-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							5 µA @ 1 V						3.3 V	95 ohmios
VS-95PF40T	6.8868	RFQ	3266	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95pf40t	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PF40T	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
BZX384B36-G3-08	0.0445	RFQ	1696	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B36		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								50 na @ 25.2 V						36 V	90 ohmios
PTV11B-M3/84A	0.1223	RFQ	3475	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C	Montaje en superficie	DO220AA	PTV11		600 MW	DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 8 V						11.7 V	8 ohmios
V20DM150CHM3/I	1.4500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V20DM150	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	10A	1.24 v @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C
1N4003E-E3/54	0.4800	RFQ	2108	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a		5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX84B22-E3-18	0.0324	RFQ	1616	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B22		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								50 na @ 15.4 V						22 V	55 ohmios
MMBZ4702-G3-08	-	RFQ	5632	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4702		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								50 na @ 11.4 V						15 V
VSIB15A20-E3/45	-	RFQ	9697	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GSIB-5S	VSIB15	Estándar		GSIB-5S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.200						1 V @ 7.5 A		10 µA @ 200 V		3.5 A		Fase única	200 V
VS-12TQ045StrRHM3	1.0540	RFQ	1764	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
VS-20TQ040S-M3	0.7748	RFQ	6561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
UH2C-E3/52T	-	RFQ	4115	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	UH2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.05 v @ 2 a	35 ns	2 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	-
RGP10KHM3/54	-	RFQ	6737	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
V2pm6l-m3/i	0.0820	RFQ	3117	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PM6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V2PM6L-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		630 MV @ 2 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2a	250pf @ 4V, 1 MHz
FESB8GT-E3/45	0.6409	RFQ	3396	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VLZ6V8-GS08	-	RFQ	1150	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ6V8		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma								6.8 V	8 ohmios
Byv98-100-tap	0.5643	RFQ	6267	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYV98	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 5 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	-
V30DM45C-M3/I	1.6900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V30DM45	Schottky		TO-263AC (SMPD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	600 MV @ 15 A		700 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-VS30ELR25S20	-	RFQ	8574	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					VS30				-				112-VS-VS30ELR25S20			1
VS-5EAH02-M3/H	0.5800	RFQ	300	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Monte de superficie, Flanco Humectable	2-vdfn	VS-5EAH02	Estándar		DFN3820A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		970 MV @ 5 A	25 ns	4 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
SEG10FG-M3/I	0.3900	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 V @ 700 Ma	1.2 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.3pf @ 4V, 1MHz
VS-10ETF12PBF	-	RFQ	1467	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	10ETF12	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.33 v @ 10 a	310 ns		-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SS15-E3/5AT	0.0847	RFQ	7520	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS15	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		750 MV @ 1 A		200 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
V8PL6-M3/87A	0.2652	RFQ	7223	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8PL6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		580 MV @ 8 A		2.4 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	4.3a	-
VS-11DQ04TR	-	RFQ	7845	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	11DQ04	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C	1.1a	-
GP02-40-E3/54	0.5700	RFQ	675	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
Fesb16jthe3_a/i	2.1000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 V @ 16 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	145pf @ 4V, 1MHz
Nsb8jthe3_b/p	0.6930	RFQ	5333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
V8PM10HM3/H	0.6400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V8PM10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		750 MV @ 8 A		60 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

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15,000 m2

15,000 m²