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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3957GP-E3/54 | 0.1780 | ![]() | 4750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3957 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | RGP02-18EHE3/54 | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP02 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 1.8 V @ 100 Ma | 300 ns | 5 µA @ 1800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||
![]() | MBRB15H60CT-E3/81 | - | ![]() | 1945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB15 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 7.5a | 730 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BZT52B20-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 2353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B20 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | FEP30AP-E3/45 | 1.6062 | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Fep30 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 950 MV @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | S3D/57T | - | ![]() | 8235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S3d | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 2.5 A | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | VSSC520S-M3/9AT | 0.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | SC520 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.7 V @ 5 A | 200 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 5A | 280pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Rs2g-e3/52t | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Rs2g | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-12CWQ04FNTRRHM3 | 1.3076 | ![]() | 3568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS12CWQ04FNTRRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 680 MV @ 12 A | 3 Ma @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | UG8HCT-E3/45 | - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | UG8 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 4A | 1.75 v @ 4 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Esh1pdhe3/84a | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | ESH1 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Rs3ahe3_a/h | 0.2620 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3a | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 2.5 A | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 44pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Uh6pjhm3/86a | - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | UH6 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 6 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-90EPF12L-M3 | 5.0094 | ![]() | 2885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | 90EPF12 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.38 V @ 90 A | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 90A | - | ||||||||||
AZ23B6V2-G3-18 | 0.0594 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B6V2 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | Murd620cttr | - | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Murd620 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 1.2 v @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | SS13HE3_A/H | - | ![]() | 2977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SE20FDHM3/H | 0.1058 | ![]() | 8323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SE20 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 2 a | 920 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 13PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | RS07J-GS18 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs07 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 V @ 700 Ma | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | S1AHE3_A/I | 0.0641 | ![]() | 7744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1a | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Es2dhe3/5bt | - | ![]() | 2151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 2 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 18pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Rmpg06ghe3_a/100 | 0.2673 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | RMPG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | V8P15-M3/H | 0.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8P15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 8 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | 10TQ045S | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | |||||||||||
![]() | VS-ETL0806FP-M3 | 1.2100 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | ETL0806 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSETL0806FPM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.07 v @ 8 a | 180 ns | 9 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | S1GHM3_A/I | 0.0700 | ![]() | 7312 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1g | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-S1GHM3_A/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBRB1660HE3_B/I | 0.9567 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB1660 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | VS-VSKCS401/045 | 52.7730 | ![]() | 7501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Add-a-pak (3) | VSKCS401 | Schottky | Add-a-pak® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSVSKCS401045 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 45 V | 200a | 720 MV @ 200 A | 20 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | SBYV27-100-E3/73 | - | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Sbyv27 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.07 v @ 3 a | 15 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV19W-E3-18 | 0.2800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | BAV19 | Estándar | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz |
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