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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V20PWM63C-M3/I	0.4142	RFQ	4264	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V20PWM63C-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	660 MV @ 10 A		20 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C
SE40PG-M3/87A	0.2228	RFQ	3176	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SE40	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.05 v @ 4 a	2.2 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	28pf @ 4V, 1MHz
VS-88-6509	-	RFQ	2283	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					88-6509				-				112-VS-88-6509			1
VLZ6V8-GS08	-	RFQ	1150	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, VLZ	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	VLZ6V8		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma						6.8 V	8 ohmios
GP02-40-E3/54	0.5700	RFQ	675	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
TZM5221C-GS18	-	RFQ	4405	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5221		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
SS3P3HE3/84A	-	RFQ	9500	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	Ss3p3	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		580 MV @ 3 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
V8pm63hm3/h	0.2439	RFQ	4124	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-V8PM63HM3/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		640 MV @ 8 A		20 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	4.3a	1460pf @ 4V, 1MHz
VS-S627B	-	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S627B				-				112-VS-S627B			1
FGP10DHM3/54	-	RFQ	5736	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	FGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 4V, 1 MHz
VS-30CTQ060-M3	1.6800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	30CTQ060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	820 MV @ 30 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BYT28-400HE3/45	-	RFQ	7346	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	ByT28	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
V15pm153-m3/h	0.7300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		880 MV @ 15 Ma		150 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 175 ° C	3.8a	885pf @ 4V, 1MHz
BYQ28EF-200HE3_A/P	-	RFQ	1214	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	BYQ28	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
RMPG06JHE3_A/53	0.1792	RFQ	9348	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKD56/04	39.2800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKD56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	30A			10 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ4702-G3-08	-	RFQ	5632	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4702		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 11.4 V				15 V
VS-20TQ040S-M3	0.7748	RFQ	6561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
SSB44-E3/5BT	0.4800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SSB44	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 4 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	4A	-
V2pm6l-m3/i	0.0820	RFQ	3117	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	V2PM6	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	112-V2PM6L-M3/ITR	EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		630 MV @ 2 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2a	250pf @ 4V, 1 MHz
VS-5EAH02-M3/H	0.5800	RFQ	300	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Monte de superficie, Flanco Humectable	2-vdfn	VS-5EAH02	Estándar		DFN3820A	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		970 MV @ 5 A	25 ns	4 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	-
BAS385-TR3	0.4300	RFQ	4622	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BAS385	Schottky		Microma	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		800 MV @ 100 Ma		2.3 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
FEP30BP-E3/45	1.6062	RFQ	1603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	Fep30	Estándar		TO-247AD (TO-3P)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	15A	950 MV @ 15 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SE70PD-M3/86A	0.3787	RFQ	6149	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SE70	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.05 v @ 7 a	2.6 µs	20 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.9a	76pf @ 4V, 1MHz
RGP5100-E3/73	-	RFQ	9331	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Axial	RGP51	Estándar		Axial	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V					-	500mA	-
SEG10FG-M3/I	0.3900	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB		Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 V @ 700 Ma	1.2 µs	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.3pf @ 4V, 1MHz
Nsb8jthe3_b/p	0.6930	RFQ	5333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	NSB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	55pf @ 4V, 1 MHz
V60D100C-M3/I	4.4900	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete	V60D100	Schottky		SMPD	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	30A	810 MV @ 30 A		1 ma @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-C5TH3012-M3	2.4600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	C5TH3012	Estándar		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-C5TH3012-M3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.5 V @ 15 A	95 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
FCSP05H40TR	-	RFQ	3067	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Flipky ™	FCSP05	Schottky		Flipky ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		520 MV @ 500 Ma		10 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²