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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX884B47L-G3-08 | 0.3200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx884l | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0402 (1006 Métrica) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||
![]() | MMSZ5234B-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
BAS19-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS19 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
GSIB1540N-M3/45 | 1.8371 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB1540 | Estándar | GSIB-5S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 950 MV @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 15 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5233C-HE3_A-08 | 0.0566 | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ5233C-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | PLZ6V8B-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 2442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.55% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ6V8 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 3.5 V | 6.66 V | 8 ohmios | |||||||||||||
BU1008A-M3/51 | 1.2098 | ![]() | 3478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU | BU1008 | Estándar | isocink+™ bu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 v @ 5 a | 5 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
BZX84C10-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 8069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C10 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 8ews08s | - | ![]() | 7828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ews08 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 50 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | BZM55C20-TR | 0.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZM55 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | BZM55C20 | 500 MW | Microma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 220 ohmios | |||||||||||||
![]() | ZMM5261B-7 | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-C4PU3006L-N3 | 2.1500 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | C4PU3006 | Estándar | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 15 A | 60 ns | 15 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | Tzx3v3b-tr | 0.2400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx3v3 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX384B24-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B24 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 20etf08strl | - | ![]() | 2747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.31 v @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | SMPZ3920B-M3/85A | 0.0825 | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | SMPZ3920 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG03B200-M3-18 | 0.2228 | ![]() | 3995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG03B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03B200 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||||
![]() | 15CTQ045S | - | ![]() | 2373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 15ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 7.5a | 550 MV @ 7.5 A | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | MMSZ4689-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 2898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ4689-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | |||||||||||||||||
BZX84B24-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 8281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84B24-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | VS-220CNQ030PBF | 53.6200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | TO-244AB | 220CNQ030 | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 110A | 490 MV @ 110 A | 10 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | IRKD196/12 | - | ![]() | 5529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Int-a-pak (3) | Irkd196 | Estándar | Módulo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRKD196/12 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1200 V | 195a | 20 Ma @ 1200 V | |||||||||||||
![]() | S2bhe3_a/i | 0.1040 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2B | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 V @ 1.5 A | 2 µs | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S5DHE3/57T | - | ![]() | 1286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S5d | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | UH2C-M3/52T | - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | UH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.05 v @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 42pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-HFA15TB60SPBF | - | ![]() | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA15 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | V20DM60CHM3/I | 1.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 660 MV @ 10 A | 600 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
BZT52C13-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 1115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52C13-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Rs2khe3/5bt | - | ![]() | 8263 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Rs2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 17PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
VS-110MT120KPBF | 83.4400 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo mt-k | 110MT120 | Estándar | MT-K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS110MT120KPBF | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 A | Fase triple | 1.2 kV |
Volumen de RFQ promedio diario
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