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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Byw72-tap | 1.0900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BYW72 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 3 a | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BZD27B8V2P-E3-18 | 0.1155 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | Bzd27b8v2 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 8.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | SE15FGHM3/I | 0.0936 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SE15 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.05 V @ 1.5 A | 900 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 10.5pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | FEPB6AT-E3/45 | - | ![]() | 8560 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Fepb6 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 6A | 975 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-20CWT10TRL-E3 | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 20CWT10 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
AZ23B51-E3-18 | 0.0509 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B51 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 38 V | 51 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-MUrB2020CT-1PBF | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Murb2020 | Estándar | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 850 MV @ 8 A | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-S1096 | - | ![]() | 2689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1096 | - | 112-VS-S1096 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GL41Y-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | GL41 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 1600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VX80M45PWHM3/P | 2.4634 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Schottky | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VX80M45PWHM3/P | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 40A | 610 MV @ 40 A | 550 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | SS2H10HE3_A/H | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS2H10 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 790 MV @ 2 A | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | V30dm120hm3/i | 0.7301 | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V30DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 1.06 v @ 30 a | 1 ma @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
![]() | GP10D-4003-M3/54 | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-S1643 | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | S1643 | - | 112-VS-S1643 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B39-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B39 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 29 V | 39 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | S1D-E3/61T | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S1D | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
ZM4734A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4734 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-60APH03-N-S1 | - | ![]() | 3095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60AF03 | Estándar | To47ac | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.45 V @ 60 A | 42 ns | 10 µA @ 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||
![]() | VS-VSKDF500/06PBF | 61.1653 | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® Gen 4 | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Int-a-pak | descascar | Alcanzar sin afectado | 112-vs-vskdf500/06pbf | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 Independiente | 600 V | 772a (DC) | 1.66 V @ 500 A | 104 ns | 10 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-88-6015 | - | ![]() | 9540 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 88-6015 | - | 112-VS-88-6015 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10AE-M3/54 | - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | EGP10 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-10TQ045StrlHM3 | 1.0857 | ![]() | 8752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 570 MV @ 10 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-78-4789PBF | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | 78-4789 | - | 112-VS-78-4789PBF | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60CPF12 | - | ![]() | 5286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60CPF12 | Estándar | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.4 V @ 60 A | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||
![]() | EGP10AHE3/54 | - | ![]() | 6971 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SS1F4-M3/I | 0.0781 | ![]() | 7217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS1F4 | Schottky | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 1 A | 150 µA @ 40 V | 175 ° C (Máximo) | 1A | 85pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VLZ47-GS18 | - | ![]() | 2650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ47 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 41.8 V | 46.5 V | 90 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-SD1100C30L | 123.9467 | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-200AA, A-PUK | SD1100 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSD1100C30L | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 1.44 V @ 1500 A | -40 ° C ~ 150 ° C | 910A | - | |||||||||||
![]() | V20PWM60CHM3/I | 1.0900 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | V20PWM60 | Schottky | Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 660 MV @ 10 A | 600 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | RGP10KEHE3/91 | - | ![]() | 4987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | RGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
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