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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S4pkhm3_a/h | 0.1980 | ![]() | 5426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S4P | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 161CMQ040 | - | ![]() | 5319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | To-249aa | 161cmq | Schottky | To-249aa | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *161CMQ040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 160A | 880 MV @ 160 A | 5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | 1N5619GP-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5619 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 250 ns | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BAS40-06-HE3-08 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 200 MMA | 1 V @ 40 Ma | 5 ns | 100 na @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||
15eth03 | - | ![]() | 7008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 15eth03 | Estándar | TO20AC | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.25 V @ 15 A | 40 ns | 40 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | |||||||||||
![]() | Smzj3798bhm3/i | - | ![]() | 8872 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ37 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||||
![]() | S2B-E3/5BT | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2B | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 V @ 1.5 A | 2 µs | 1 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 16PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-50PFR40 | 5.1887 | ![]() | 8745 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 50pFr40 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS50PFR40 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.4 V @ 125 A | -55 ° C ~ 180 ° C | 50A | - | |||||||||||
![]() | V20DM60CHM3/I | 1.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V20DM60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 660 MV @ 10 A | 600 µA @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
VS-115CNQ015APBF | - | ![]() | 7104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D-61-8 | 115CNQ015 | Schottky | D-61-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 55a | 370 MV @ 55 A | 20 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||
![]() | MBRF10H150CT-E3/45 | - | ![]() | 5240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF10 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 880 MV @ 5 A | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | VS-3EYH02HM3/I | 0.5400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3eyh02 | Estándar | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 30 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | SGL41-60/96 | - | ![]() | 4383 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | SGL41 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | AR4PG-M3/86A | 0.4290 | ![]() | 8500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.6 v @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 77pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | S8ckhm3/i | 0.3960 | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S8CK | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 985 MV @ 8 A | 4 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 79pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | V10DM45C-M3/I | 0.4901 | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V10DM45 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 5A | 620 MV @ 5 A | 100 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ4701-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 2993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4701 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 10.6 V | 14 V | ||||||||||||||
![]() | VS-87HFR20 | 8.8076 | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 87HFR20 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS87HFR20 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 267 A | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | |||||||||||
![]() | Smzj3802bhm3/i | - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ38 | 1.5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZT55C24-GS18 | 0.0283 | ![]() | 3071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55C24 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZG05C91-HM3-08 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05C91 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 68 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-3EJH01-M3/6A | 0.1537 | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 3EJH01 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 3 A | 18 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BZX55C8V2-TAP | 0.2300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Cinta de Corte (CT) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55C8V2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | UF1007-M3/54 | 0.1363 | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF1007 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | MBRF750HE3/45 | - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 7.5 A | 500 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | - | |||||||||||
![]() | PLZ13B-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ13 | 500 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 10 V | 12.88 V | 14 ohmios | ||||||||||||
MMBZ5250B-HE3-08 | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5250 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
DZ23C36-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 27 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||
AZ23C20-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C20 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | UG18DCT-5410HE3/45 | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | UG18 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 18A | 1.1 v @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C |
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