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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSS2P2HM3/89A | - | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | MicroSMP | MSS2P2 | Schottky | MicroSMP (DO-219AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 2 A | 250 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | VS-60CPU06-N3 | 2.8100 | ![]() | 746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 60CPU06 | Estándar | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 1.65 V @ 30 A | 42 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | BAT43-TR | 0.0578 | ![]() | 7487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAT43 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 450 MV @ 15 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Tzx10a-tap | 0.2300 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta de Corte (CT) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX10 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7.5 V | 10 V | 25 ohmios | ||||||||||||
RMPG06D-E3/54 | 0.3700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Mpg06, axial | RMPG06 | Estándar | Mpg06 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 6.6pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
DZ23C18-HE3_A-18 | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-DZ23C18-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 14 V | 18 V | 18 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZW03C120-TR | - | ![]() | 4827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 91 V | 120 V | 170 ohmios | ||||||||||||
![]() | ZMM5230B-13 | - | ![]() | 3901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | ZMM52 | 500 MW | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | ZMM5230B-13GI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZG04-200-M3-08 | 0.5400 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG04-M | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG04-200 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 200 V | 240 V | |||||||||||||
![]() | BYM10-200HE3/97 | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | Bym10 | Estándar | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BYM10-200HE3_A/I | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BYT28B-400-E3/81 | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | ByT28 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | AS3PG-M3/87A | 0.2871 | ![]() | 2848 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | AS3 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 920 MV @ 1.5 A | 1.2 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.1a | 37pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | GL34Ghe3/83 | - | ![]() | 3163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | GL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Gl34ghe3_a/i | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 1N522222C-TR | 0.0373 | ![]() | 2868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5222 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | GP10DHM3/73 | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
BZX84C4V3-HE3_A-08 | 0.0498 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | 112-BZX84C4V3-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||
BZX84B20-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 7675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B20 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SS210HE3_A/I | 0.1724 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS210 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 3 A | 30 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||||
![]() | GDZ2V0B-HG3-18 | 0.0509 | ![]() | 8141 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ2V0 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 120 µA @ 500 MV | 2 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZX85B100-TR | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BZX85B100 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 75 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-10CSH01HM3/86A | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | 10CSH01 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 980 MV @ 5 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-12CWQ04FNTRHM3 | 1.3076 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 12CWQ04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS12CWQ04FNTRHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 470 MV @ 6 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | V8PM10HM3/H | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8PM10 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 8 A | 60 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | Byvf32-150he3_a/p | 1.0725 | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | BYVF32 | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 18A | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZD17C62P-E3-18 | 0.1452 | ![]() | 9952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C62 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47 V | 62 V | |||||||||||||
![]() | BAQ33-GS18 | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BAQ33 | Estándar | Sod-80 mínimo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 100 Ma | 1 na @ 15 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Byg20dhe3_a/h | 0.1419 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg20 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 1.5 A | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | TZQ5266B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZQ5266 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | ||||||||||||
MMBZ5225B-G3-18 | - | ![]() | 7185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5225 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SS3P3HE3/84A | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO220AA | Ss3p3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - |
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