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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-71HFR80 | 10.7400 | ![]() | 9128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 71HFR80 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.35 V @ 220 A | 9 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | |||||||||||
![]() | BA159-E3/73 | 0.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | BA159 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-HFA15TB60SPBF | - | ![]() | 3707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA15 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | VS-20CWT10FN | - | ![]() | 8406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 20CWT10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20CWT10FN | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 890 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | GLL4747A-E3/97 | 0.3168 | ![]() | 4994 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4747 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZG05B6V8-E3-TR3 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg05b | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2.06% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZD27B6V2P-E3-18 | 0.1155 | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27b | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | Bzd27b6v2 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZT52B75-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B75 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 75 V | 250 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BYS10-25HE3/TR3 | - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Bys10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 25 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | SMZG3806A-E3/52 | - | ![]() | 7478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMZG38 | 1.5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | SS34-E3/9AT | 0.6000 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Ss34 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | SMZJ3791B-E3/5B | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMZJ3791 | 1.5 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 7 ohmios | |||||||||||||
![]() | V12pm153hm3/i | 0.3300 | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-v12pm153hm3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 850 MV @ 12 A | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 3.7a | 820pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | V40120C-M3/4W | 1.3490 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V40120 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 880 MV @ 20 A | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | FGP30che3/73 | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FGP30 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | AR4PGHM3/86A | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ar4 | Avalancha | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.6 v @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2a | 77pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SS16-E3/51T | - | ![]() | 8284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS16 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 1 A | 200 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SBLB1630CThe3/45 | - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SBLB1630 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 8A | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||
![]() | BZT52C68-E3-08 | 0.0360 | ![]() | 6671 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C68 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 68 V | 200 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CS3J-E3/I | 0.3600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | CS3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 3 a | 2.8 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 26pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
AZ23B18-HE3-08 | 0.0785 | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, AZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B18 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohmios | |||||||||||||
DZ23C47-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | DZ23-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 35 V | 47 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMAZ5925B-E3/61 | 0.4200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaz5925 | 500 MW | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-72HFR120M | 21.2611 | ![]() | 7028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 72HFR120 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS72HFR120M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | |||||||||||
![]() | SS1H10-M3/61T | 0.3800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS1H10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 860 MV @ 2 A | 1 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
SD103R14S15PV | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AC, DO-30, Stud | SD103 | Estándar | DO-205AC (DO-30) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *SD103R14S15PV | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 2.23 V @ 345 A | 1.5 µs | 35 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 110A | - | ||||||||||
![]() | MMSZ4682-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 9190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | 112-MMSZ4682-HE3_A-18TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.7 V | ||||||||||||||||
BZX84B75-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 2051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B75 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | ||||||||||||||
![]() | VS-20ETF06STRLPBF | - | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 20etf06 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 15 a | 120 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | VS-1N1185R | - | ![]() | 6978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N1185 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.7 V @ 110 A | 10 Ma @ 150 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - |
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