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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
V20PL60-M3/86A	1.0100	RFQ	823	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V20PL60	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		590 MV @ 20 A		4 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5a	-
EGP10D-E3/53	-	RFQ	2766	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
Zpy33-tap	0.3700	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy33		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 25 V				33 V	11 ohmios
BZD17C100P-E3-08	0.1597	RFQ	6697	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD17C100		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 75 V				100 V
BZX584C10-HG3-08	0.3400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX584C	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000							200 na @ 7 V				10 V	8 ohmios
SB340-E3/73	0.4400	RFQ	42	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB340	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		490 MV @ 3 A		500 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Rs1dhe3_a/i	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	RS1D	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
PLZ39B-G3/H	0.3200	RFQ	50	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Por favor	Tape & Reel (TR)	Activo	± 3%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-219AC	PLZ39		500 MW	DO-219AC (microsmf)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.500					900 MV @ 10 Ma		200 na @ 30 V				39 V	85 ohmios
31GF6-M3/73	-	RFQ	5208	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	31GF6	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.6 v @ 3 a	30 ns	20 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
Byg23t-m3/tr3	0.5300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg23	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.9 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1300 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	9PF @ 4V, 1MHz
BYS10-35-M3/TR	0.0721	RFQ	8247	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Bys10	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
GP02-40HM3/54	-	RFQ	2211	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		4000 V		3 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	3PF @ 4V, 1MHz
BZT55C30-GS08	0.0283	RFQ	2310	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C30		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 22 V				30 V	80 ohmios
BZT52C27-G3-18	0.0390	RFQ	5259	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C27		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 20 V				27 V	80 ohmios
Tzx7v5d-tap	0.0287	RFQ	7599	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx7v5		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				7.5 V	15 ohmios
TZMB6V8-GS08	0.3100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmb6v8		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 3 V				6.8 V	8 ohmios
Fesb8jthe3_a/p	0.8910	RFQ	7267	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FESB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
Ar4pjhm3/87a	-	RFQ	9924	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ar4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.6 v @ 4 a	140 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	77pf @ 4V, 1 MHz
RGL41J-E3/97	0.4600	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
RGP10D-M3/54	-	RFQ	2330	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VS-SD1553C18S20K	306.1650	RFQ	3004	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Apretar	DO-200AC, K-PUK	SD1553	Estándar		DO-200AC, K-PUK	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSD1553C18S20K	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1800 V		2.23 V @ 4000 A	2 µs		-40 ° C ~ 150 ° C	1825A	-
BYM07-100HE3_A/I	-	RFQ	5472	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	BYM07	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	Bym07-100he3_b/i	EAR99	8541.10.0070	9,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	7pf @ 4V, 1 MHz
MMBZ4688-HE3-08	-	RFQ	3592	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4688		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							10 µA @ 3 V				4.7 V
VS-20TQ045PBF	-	RFQ	6156	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	20TQ045	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
Zpy16-tr	0.3700	RFQ	24	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Zpy16		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 12 V				16 V	5 ohmios
Byg10d-m3/tr	0.1485	RFQ	6585	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
MBRB25H35CThe3/81	-	RFQ	4678	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB25	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	640 MV @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
EGL41C-E3/96	0.5100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	20pf @ 4V, 1 MHz
BYS10-25-E3/TR	0.4300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Bys10	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		25 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 25 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
VS-80PF80	6.6000	RFQ	80	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	80pf80	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PF80	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²