RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VBT2080C-E3/4W	0.6270	RFQ	8280	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT2080	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VBT2080C-E3/4WGI	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	10A	810 MV @ 10 A		600 µA @ 80 V	150 ° C (Máximo)
SA2J-E3/61T	0.3900	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Sa2	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 2 a	1.5 µs	3 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	11PF @ 4V, 1MHz
1N5243B-TR	0.2300	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5243		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
MMBZ4712-HE3-18	-	RFQ	4029	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4712		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 na @ 21.2 V				28 V
AZ23C43-G3-08	0.0483	RFQ	6053	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C43		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 32 V				43 V	100 ohmios
VT4045C-M3/4W	1.5286	RFQ	8493	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT4045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT4045CM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	580 MV @ 20 A		3 Ma @ 45 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZG03B62TR3	-	RFQ	9444	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 47 V				62 V	80 ohmios
VX60M45PW-M3/P	1.7325	RFQ	5563	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	Vx60m	Schottky		Un 247ad	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VX60M45PW-M3/P	EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	600 MV @ 30 A		450 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA15PB60PBF	-	RFQ	8754	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	HFA15	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	-
GP10G-4004E-M3/73	-	RFQ	3469	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
GF1M-E3/5CA	0.6000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
FEPF6CT-E3/45	-	RFQ	2460	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Fepf6	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
TZQ5245B-GS08	0.2300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	TZQ5245		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
BZT55A6V2-GS08	-	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 1%	175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55		500 MW	Césped-80 cuádromal	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 2 V				6.2 V	10 ohmios
Byt52J-TR	0.6900	RFQ	3395	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byt52	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	200 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.4a	-
AZ23B51-E3-18	0.0509	RFQ	2398	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B51		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 38 V				51 V	100 ohmios
TZM5252C-GS08	-	RFQ	2752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5252		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 18 V				24 V	33 ohmios
BZG03B75TR3	-	RFQ	9050	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03B	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03		1.25 W	DO-214AC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 56 V				75 V	100 ohmios
MBRB16H60HE3_B/I	0.7920	RFQ	6600	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB16	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		730 MV @ 16 A		100 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
BZX584C5V1-VG-08	-	RFQ	9977	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzx584c-vg	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	Bzx584c		200 MW	Sod-523	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
VS-20CTQ040S-M3	0.9035	RFQ	3105	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20CTQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	10A	640 MV @ 10 A		2 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-45EPS12LHM3	4.1000	RFQ	495	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	45eps12	Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.14 V @ 45 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	45a	-
Tzx4v3b-tr	0.2400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx4v3		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.3 V	100 ohmios
VBT6045CBP-E3/8W	2.9000	RFQ	6165	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VBT6045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	640 MV @ 30 A		3 Ma @ 45 V	200 ° C (Max)
BZG05B47-HM3-08	0.2079	RFQ	8684	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B47		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 36 V				47 V	90 ohmios
Byg10m-e3/tr	0.3900	RFQ	99	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
Tzx10a-tap	0.2300	RFQ	88	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX10		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 7.5 V				10 V	25 ohmios
1N5263C-TAP	0.0288	RFQ	1976	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5263		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
BAT54C-E3-08	0.3200	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
S3B-M3/57T	0.1549	RFQ	4775	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3B	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²