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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBL25L25CThe3/45 | - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SBL25L25 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 25 V | 12.5a | 490 MV @ 12.5 A | 900 µA @ 25 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | PLZ6V8A-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, PLZ | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.63% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ6V8 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 3.5 V | 6.46 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | Byv98-100-tap | 0.5643 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BYV98 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | |||||||||
![]() | VLZ2V7A-GS18 | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ2V7 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.65 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | Esh3dhe3_a/i | 0.3208 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | ESH3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 40 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SML4742-E3/61 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4742 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||
![]() | V30D202CHM3_A/I | 1.6470 | ![]() | 6866 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña) variete | V30D202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 880 MV @ 15 A | 200 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | BZT55B30-GS08 | 0.0433 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55B30 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 22 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||
![]() | Es3fhe3/9at | - | ![]() | 6955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 3 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | V8pm15hm3/h | 0.6100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V8PM15 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.08 v @ 8 a | 150 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 8A | 460pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 72CPQ030 | - | ![]() | 4679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 72cpq | Schottky | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 35a | 510 MV @ 35 A | 1.9 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZD27C15P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | VS-85HFR80 | 12.8300 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 85HFR80 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 V @ 267 A | 9 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 85a | - | ||||||||||
![]() | SE10PJ-M3/84A | 0.4500 | ![]() | 570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | SE10 | Estándar | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.05 v @ 1 a | 780 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | VS-305ura250p4 | - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 305ura250 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 1.46 V @ 942 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 300A | - | |||||||||||||
![]() | VS-SD1553C18S20K | 306.1650 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | DO-200AC, K-PUK | SD1553 | Estándar | DO-200AC, K-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSD1553C18S20K | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 2.23 V @ 4000 A | 2 µs | -40 ° C ~ 150 ° C | 1825A | - | |||||||||
![]() | MBRF2560CThe3/45 | - | ![]() | 2929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | MBRF25 | Schottky | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
VS-MBR745-M3 | 0.9100 | ![]() | 773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR745 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 840 MV @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5a | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30ETH06FP-F3 | - | ![]() | 9590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | 30eth06 | Estándar | To20-2 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS30ETH06FPF3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.6 V @ 30 A | 23 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||
![]() | TZMC2V7-M-08 | 0.0324 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZMC2V7 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT52B75-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT52-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52B75 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 75 V | 250 ohmios | |||||||||||||
![]() | BY254GP-E3/73 | - | ![]() | 3006 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | BY254 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 3 a | 3 µs | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VX60170PWHM3/P | 6.0166 | ![]() | 7699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | VX60170PW | Schottky | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VX60170PWHM3/PTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 170 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 200 µA @ 170 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | GDZ36B-HG3-18 | 0.0523 | ![]() | 3721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, GDZ-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | GDZ36 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 300 ohmios | ||||||||||||
![]() | BZD17C100P-E3-08 | 0.1597 | ![]() | 6697 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17C100 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | ||||||||||||
![]() | GP10-4007E-E3/73 | - | ![]() | 6682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | - | 1A | - | ||||||||||||
![]() | SE30AFG-M3/6B | 0.4500 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SE30 | Estándar | DO-221AC (SLIMSMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 19PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZX384B11-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX384-G | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384B11 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||
![]() | GLL4743-E3/96 | 0.3053 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | GLL4743 | 1 W | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | Byt77-tap | 0.5247 | ![]() | 3141 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | ByT77 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 3 a | 250 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - |
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