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Diodos (29505)

Imaginación	Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Current - Max	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
	TZM5258C-GS18	-	RFQ	5966	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5258		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V						36 V	70 ohmios
	48CTQ060S	-	RFQ	5409	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	48CTQ	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	20A	610 MV @ 20 A		2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
	UF4005-E3/73	0.5000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4005	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	10 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
	By229b-600-e3/45	-	RFQ	1978	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	BY229	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			600 V		1.85 V @ 20 A	145 ns	10 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
	10ets08Strr	-	RFQ	2544	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10ets08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			800 V		1.1 v @ 10 a		50 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
	Byd13dgphe3/73	-	RFQ	6072	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			200 V				5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
	RGL34AHE3/98	-	RFQ	4324	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	RGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	RGL34AHE3_A/H	EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	4PF @ 4V, 1MHz
	STPS1045BTR	-	RFQ	7139	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	STPS1045	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			45 V		630 MV @ 10 A		200 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	760pf @ 5V, 1MHz
$GSIB1560\45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division$	GSIB1560 \ 45	-	RFQ	2054	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GSIB-5S	GSIB1560	Estándar		GSIB-5S	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	20						950 MV @ 7.5 A		10 µA @ 600 V		3.5 A		Fase única	600 V
	SS1H9-E3/5AT	0.3900	RFQ	4560	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS1H9	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			90 V		770 MV @ 1 A		1 µA @ 90 V	175 ° C (Máximo)	1A	-
	VS-VSKC320-12PBF	201.1700	RFQ	8939	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Int-a-pak	VSKC320	Estándar		Int-a-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSKC32012PBF	EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	40A			50 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
	VS-40EPS08PBF	-	RFQ	2751	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	40eps08	Estándar		To47ac modificado	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			800 V		1.1 V @ 40 A		100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	40A	-
	HFA200MD40C	-	RFQ	9154	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	HFA200	Estándar		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	400 V	172a (DC)	1.2 V @ 100 A	120 ns	12 µA @ 400 V
	ZMY15-GS08	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZMY15		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500								500 na @ 11 V						15 V	9 ohmios
	VS-81CNQ040APBF	-	RFQ	9245	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	D-61-8	81CNQ040	Schottky		D-61-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS81CNQ040APBF	EAR99	8541.10.0080	200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	40 V	40A	600 MV @ 40 A		5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
	EGL34A-E3/98	0.1513	RFQ	5163	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	EGL34	Estándar		DO-213AA (GL34)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			50 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
	BZG03B200-M3-18	0.2228	RFQ	3995	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG03B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03B200		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V						200 V	500 ohmios
	440CNQ030	-	RFQ	7988	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	440CNQ	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	30 V	440A	600 MV @ 440 A		20 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
	TLZ12C-GS08	0.2500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ12		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 11.2 V						12 V	12 ohmios
	BA783S-E3-08	-	RFQ	9296	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		125 ° C (TJ)		SC-76, SOD-323	BA783			Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		100 mA									1.2pf @ 3V, 1MHz	PIN - Single	35V			1.2ohm @ 3mA, 1 GHz
	MMSZ4683-HE3_A-08	0.0533	RFQ	3502	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ4683-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000						900 MV @ 10 Ma		800 na @ 1 V						3 V
	MMSZ5263B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	6065	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5263B-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10,000						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 43 V						56 V	150 ohmios
	VS-3C12ETOTT-M3	-	RFQ	8408	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	112-VS-3C12ETOTT-M3	EAR99	8541.10.0080	1
	VS-E5PH6012LHN3	4.9700	RFQ	439	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH6012LHN3	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			1200 V		2.5 V @ 60 A	130 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	60A	-
	VS-309UR120	-	RFQ	5636	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	309ur120	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)			120 V		1.22 v @ 942 a		15 Ma @ 120 V	-40 ° C ~ 180 ° C	330A	-
	SBYV27-100-E3/73	-	RFQ	7089	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Sbyv27	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			100 V		1.07 v @ 3 a	15 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	15pf @ 4V, 1 MHz
	MBRB2060CThe3/81	-	RFQ	8785	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1 par Cátodo Común	60 V	10A	800 MV @ 10 A		150 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C
	AR4PMHM3/87A	-	RFQ	5511	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ar4	Avalancha		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			1000 V		1.9 v @ 4 a	120 ns	10 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	55pf @ 4V, 1 MHz
	LL43-GS08	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL43	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			30 V		450 MV @ 15 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	-55 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
	RGP10DE-E3/53	-	RFQ	6535	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²