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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ugb10gcthe3_a/p | - | ![]() | 6632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-agb10gcthe3_a/p | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 5A | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | TLZ5V1B-GS08 | 0.2500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Tlz | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TLZ5V1 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZG05B100-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 5652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZG05B-M | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05B100 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 75 V | 100 V | 350 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SML4763AHE3/61 | - | ![]() | 8819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4763 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||
VS-240U60DM16 | 56.5975 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 240U60 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS240U60DM16 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 1.33 V @ 750 A | -40 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | ||||||||||||||
![]() | SS12HE3/5AT | - | ![]() | 3622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | VS-SD823C12S30C | 98.8792 | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | DO-200AA, A-PUK | SD823 | Estándar | B-43, hockey puk | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.85 V @ 1500 A | 3 µs | 50 Ma @ 1200 V | 910A | - | |||||||||||||
VS-EBU15006HF4 | 7.0278 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Monte del Chasis | POWERTAB® | EBU15006 | Estándar | POWERTAB® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSEBU15006HF4 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.63 V @ 150 A | 100 ns | 8 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | VS-6EWH06FNHM3 | 1.0025 | ![]() | 3246 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, Fred PT® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 6ewh06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS6EWH06FNHM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 v @ 6 a | 27 ns | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||
BZT52B3V6-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 4637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B3V6-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | 408CMQ060 | - | ![]() | 8541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | 408cmq | Schottky | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 200a | 670 MV @ 200 A | 20 Ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | Uh2d-e3/5bt | - | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | UH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||||
![]() | MB6S-E3/80 | 0.5000 | ![]() | 167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-269AA, 4-besop | MB6 | Estándar | TO-269AA (MBS) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | BZX384C36-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384C36 | 200 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 25.2 V | 36 V | 90 ohmios | |||||||||||||||
![]() | PLZ7V5B-G3/H | 0.2800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Por favor | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.62% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AC | PLZ7V5 | 960 MW | DO-219AC (microsmf) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 4 V | 7.26 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | GPP60GL-6000HE3/54 | - | ![]() | 3439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | - | GPP60 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | SS3P4L-M3/86A | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss3p4 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 470 MV @ 3 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 280pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | VS-MBR40L15CWPBF | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR40 | Schottky | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 15 V | 20A | 420 MV @ 20 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | VS-HFA08TB60STRLP | - | ![]() | 6215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HFA08 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 55 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||||
![]() | VS-SD1053C22S30L | 147.5100 | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | Apretar | Do-200ab, B-PUK | SD1053 | Estándar | Do-200ab, B-PUK | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSSD1053C22S30L | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 3000 V | 2.26 V @ 1500 A | 3 µs | -40 ° C ~ 150 ° C | 920a | - | ||||||||||||
AZ23C22-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C22 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Zpy91-tap | - | ![]() | 6089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | ± 5% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | ZPY91 | 1.3 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 68 V | 91 V | 120 ohmios | |||||||||||||||
![]() | VS-12TQ035SPBF | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 12TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 560 MV @ 15 A | 1.75 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 900pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SML4739HE3/61 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 10% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4739 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | GPP10J-E3/73 | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GPP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | 1N5235B-TR | 0.2300 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5235 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Byg21m-m3/tr3 | 0.1518 | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Byg21 | Avalancha | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 V @ 1.5 A | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||
![]() | GI811HE3/54 | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | GI811 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 1 a | 750 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||
AZ23C6V2-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | AZ23 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C6V2 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Rs2khe3/52t | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Rs2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 17PF @ 4V, 1MHz |
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