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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
DZ23C15-HE3-18	0.0436	RFQ	6472	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 11 V						15 V	30 ohmios
FEPB16FT-E3/81	1.0574	RFQ	7687	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FEPB16	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GBLA02-M3/45	-	RFQ	3434	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBL	GBLA02	Estándar		GBL	descascar		1 (ilimitado)		112-GBLA02-M3/45	EAR99	8541.10.0080	20						1 v @ 4 a		5 µA @ 200 V		4 A		Fase única	200 V
20TQ035S	-	RFQ	5733	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20TQ035	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*20TQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		570 MV @ 20 A		2.7 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
RGP25K-E3/54	0.6465	RFQ	6678	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	RGP25	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 2.5 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2.5a	60pf @ 4V, 1MHz
RGL41K-E3/97	0.1284	RFQ	3872	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	RGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SD103BWS-HG3-08	0.0594	RFQ	1481	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	125 ° C (Máximo)	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
1N3085	-	RFQ	3591	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AC, DO-30, Stud	1N3085	Estándar		DO-205AC (DO-30)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 V @ 150 A		25 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
VS-307UR250	-	RFQ	5408	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	307ur250	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS307UR250	EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.46 V @ 942 A			-40 ° C ~ 180 ° C	300A	-
SS24HE3_A/H	0.5100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SS24	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 2 A		400 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2a	-
VS-71HF20	8.6944	RFQ	1730	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	71HF20	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.35 V @ 220 A		15 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
UF1005-M3/54	0.1167	RFQ	5618	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF1005	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 180 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
GDZ2V0B-HG3-18	0.0509	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, GDZ-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GDZ2V0		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								120 µA @ 500 MV						2 V	100 ohmios
VS-E5PH7512L-N3	5.1000	RFQ	39	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT® Gen 5	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2		Estándar		Un 247ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-E5PH7512L-N3	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.6 V @ 75 A	145 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	75a	-
VS-VSUD360CW40	49.7200	RFQ	174	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Activo			Monte del Chasis	TO-244AB	VSUD360	Estándar		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSVSUD360CW40	EAR99	8541.10.0080	10		-	1 par Cátodo Común	400 V	510A	1.5 V @ 360 A	74 ns	1.28 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR3045CT-1PBF	-	RFQ	4233	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	MBR30	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	760 MV @ 30 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
75HQ045	-	RFQ	7518	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	75HQ045	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		710 MV @ 75 A		5 Ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C	75a	-
MBRB2035CThe3_a/i	-	RFQ	8905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		Un 263ab	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	10A	650 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
DZ23C9V1-E3-18	0.0415	RFQ	2037	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 7 V						9.1 V	10 ohmios
VS-15ETL06-M3	1.1300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	15etl06	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 15 a	220 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	15A	-
MMBZ5261B-G3-18	-	RFQ	6807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5261		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 36 V						47 V	105 ohmios
EGL41F-E3/96	0.1502	RFQ	4333	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	EGL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 1 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	14PF @ 4V, 1MHz
ES3A-E3/9AT	0.6300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ES3A	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
MSS1P3LHM3_A/H	0.3900	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	MSS1P3	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 1 A		250 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	65pf @ 4V, 1 MHz
1N4003GPEHE3/54	-	RFQ	1523	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
TZMB36-GS08	0.3100	RFQ	76	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB36		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V						36 V	80 ohmios
VS-30ETS12S2LHM3	1.7290	RFQ	7849	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30ets12	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado				800		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.2 V @ 30 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	30A	-
BZG05B6V8-M3-08	0.1980	RFQ	6962	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2.06%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Bzg05b6v8		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 4 V						6.8 V	3.5 ohmios
VS-1N3765	-	RFQ	4880	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3765	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		700 V		1.8 V @ 110 A		5 Ma @ 700 V	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
BZD27C15P-E3-08	0.5300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11 V						15 V	10 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²