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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-10BQ060PBF	-	RFQ	5925	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	10BQ060	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		600 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
MBRF30H50CT-E3/45	-	RFQ	6947	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF30	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Es3che3_a/i	0.3053	RFQ	8561	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ES3C	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 3 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
V12p10hm3_a/h	0.8500	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	V12P10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		830 MV @ 10 A		400 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 150 ° C	12A	-
VS-30CPQ060PBF	-	RFQ	6506	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ06	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	600 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRD330	-	RFQ	3576	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	MBRD3	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 3 A		200 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3A	-
408CNQ060	-	RFQ	8683	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	408cnq	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*408CNQ060	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	200a	680 MV @ 200 A		2.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S5dhe3_a/h	0.2162	RFQ	1725	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S5d	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.15 v @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	40pf @ 4V, 1 MHz
Byw73-tap	0.5247	RFQ	4315	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BYW73	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.1 v @ 3 a	200 ns	5 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
GP10G-M3/54	-	RFQ	4418	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
FCSP0530	-	RFQ	4430	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Flipky ™	FCSP05	Schottky		Flipky ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	6,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		440 MV @ 500 Ma		50 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	500mA	-
Esh3dhe3/9at	-	RFQ	6616	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ESH3	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 3 A	40 ns	5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BZT03C47-TAP	0.6400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 6.38%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C47		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 36 V				47 V	45 ohmios
Byv26dgphe3/54	-	RFQ	1938	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	BYV26	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		2.5 v @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
SMAZ5945B-E3/61	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5945		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 51.7 V				68 V	120 ohmios
Irkc91/08a	-	RFQ	9540	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkc91	Estándar		Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	800 V	100A			10 Ma @ 800 V
S07B-M-18	0.1016	RFQ	7594	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	S07	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	700mA	4PF @ 4V, 1MHz
VS-1N1183A	-	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N1183	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 126 A		2.5 mA @ 50 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
BZW03D13-TR	-	RFQ	3489	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		4 µA @ 10 V				13 V	2.5 ohmios
V40100G-M3/4W	0.9851	RFQ	5513	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	V40100	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	20A	810 MV @ 20 A		500 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
BZD27C39P-M-08	-	RFQ	4756	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZD27-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C39		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 30 V				39 V	40 ohmios
BZT03C27-TAP	0.6400	RFQ	7787	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 7.04%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03C27		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 20 V				27 V	15 ohmios
BZW03D120-TAP	-	RFQ	1516	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 91 V				120 V	170 ohmios
30CTQ060	-	RFQ	4397	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	30ctq	Schottky		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	620 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5255B-T	-	RFQ	3382	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5255		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				28 V	600 ohmios
FES8JTL-7002E3/45	-	RFQ	7786	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto					Fes8				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	50
BAT54C-HE3-18	0.3400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54	Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	1 par Cátodo Común	30 V	200MA (DC)	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125 ° C (Máximo)
Tzx5v1c-tap	0.2300	RFQ	35	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX5V1		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				5.1 V	100 ohmios
GF1M-E3/5CA	0.6000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
BYD13KGP-E3/54	-	RFQ	9980	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD13	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V			3 µs	5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²