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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UF1005-E3/73	-	RFQ	7568	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF1005	Estándar		DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 1 A	75 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-15CTQ045SPBF	-	RFQ	1991	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SE15PJHM3/85A	0.1005	RFQ	6860	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	SE15	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 V @ 1.5 A	900 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	9.5pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKE270-16	-	RFQ	1615	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V						270a	-
GP10GE-110BE3/93	-	RFQ	6680	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			-	-	GP10			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1	-							-	-	-
VS-400UR80D	69.7900	RFQ	4504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	400ur80	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.62 v @ 1500 A		15 Ma @ 800 V	-40 ° C ~ 200 ° C	400A	-
VS-1N1201A	4.9400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N1201	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		150 V		1.35 v @ 12 a		2.25 mA @ 150 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
20ets08s	-	RFQ	8906	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20ets08	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 V @ 20 A		100 µA @ 800 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VSSC520S-M3/9AT	0.5400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SC520	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.7 V @ 5 A		200 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	280pf @ 4V, 1 MHz
Smaz5928b-m3/5a	0.1063	RFQ	3863	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5928		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7 ohmios
BZD27C36P-E3-18	0.1492	RFQ	5800	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Bzd27c	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27C36		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27 V				36 V	40 ohmios
Smaz5936b-e3/61	0.1219	RFQ	6145	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaz5936		500 MW	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
UF4003-M3/54	0.1287	RFQ	5519	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UF4003	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17PF @ 4V, 1MHz
VS-VSKE91/12	37.9900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE91	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske9112	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.55 V @ 314 A		10 Ma @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	100A	-
303CNQ080	-	RFQ	2529	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	303cnq	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*303CNQ080	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	300A	1.09 v @ 300 A		4.5 Ma @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-C10ET07T-M3	-	RFQ	5383	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	C10ET07	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	751-VS-C10ET07T-M3	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		650 V		1.8 V @ 10 A		55 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	430pf @ 1V, 1 MHz
VS-150KS40	39.3980	RFQ	1459	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Chasis, Soporte de semento	B-42	150ks40	Estándar		B-42	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.33 v @ 471 a		35 Ma @ 400 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
TZMB27-GS18	0.0411	RFQ	5426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB27		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 20 V				27 V	80 ohmios
Se50pabhm3/i	0.1815	RFQ	3663	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma	SE50	Estándar		DO-221BC (SMPA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	14,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.16 v @ 5 a	2 µs	10 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	32pf @ 4V, 1MHz
BZT55B15-GS08	0.0433	RFQ	8272	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B15		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 11 V				15 V	30 ohmios
MBRB15H60CThe3_A/P	-	RFQ	8913	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		Un 263ab	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	7.5a	730 MV @ 7.5 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
BZX84B27-G3-18	0.0389	RFQ	2836	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B27		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 18.9 V				27 V	80 ohmios
BZT55B2V4-GS18	0.0433	RFQ	7948	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55B2V4		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		50 µA @ 1 V				2.4 V	85 ohmios
SMBZ5936B-E3/5B	0.2420	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5936		3 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
VS-85HFLR100S05	15.4075	RFQ	3799	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFLR100	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.75 V @ 266.9 A	500 ns	100 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 125 ° C	85a	-
SS14HM3_B/H	0.0884	RFQ	5383	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-SS14HM3_B/HTR	EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZX84B33-HE3-08	0.0341	RFQ	5025	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B33		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 23.1 V				33 V	80 ohmios
81CNQ035masm	-	RFQ	7653	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	D-61-8-SM	81cnq	Schottky		D-61-8-SM	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*81cnq035masm	EAR99	8541.10.0080	400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	40A	740 MV @ 80 A		5 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C
40L45CW	-	RFQ	9304	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	40L45	Schottky		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	20A	530 MV @ 20 A		1.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B2V7-HE3-08	0.2600	RFQ	770	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B2V7		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000							20 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (29505)

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