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Diodos (29505)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2KBP08M-E4/51 | - |  | 3290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 2KBP08 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |
| 3KBP06M-E4/51 | - | | 9295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 3kbp06 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.05 v @ 3 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
 | B380C1000G-E4/51 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Wog | B380 | Estándar | Montar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | |
| B40C1500G-E4/51 | 0.8200 | | 7605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Wog | B40 | Estándar | Montar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 65 V | 1.5 A | Fase única | 65 V | |
 | G2SBA20-E3/51 | - | | 4490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SBA20 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | |
| G2SBA60L-E3/51 | - | | 1561 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SBA60 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |
 | G3SBA20L-E3/51 | - | | 5339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G3SBA20 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 200 V | 2.3 A | Fase única | 200 V | |
| G5SBA20-E3/51 | 0.8672 | | 6089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | G5SBA20 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 v @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 2.8 A | Fase única | 200 V | |
| GBLA01-E3/51 | 0.6630 | | 6838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA01 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 4 a | 5 µA @ 100 V | 3 A | Fase única | 100 V | |
| GBLA06-E3/51 | 0.6630 | | 7549 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA06 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 3 A | Fase única | 600 V | |
| GBLA08-E3/51 | 0.6630 | | 7913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA08 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | |
| GBLA10-E3/51 | 0.6630 | | 9880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | GBLA10 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 3 A | Fase única | 1 kV | |
 | GBPC1005-E4/51 | - | | 3233 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-1 | GBPC1005 | Estándar | GBPC1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | |
 | GBPC1201W-E4/51 | 5.3000 | | 1872 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC1201 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 100 V | 12 A | Fase única | 100 V | |
 | GBPC1508-E4/51 | 5.3000 | | 139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC1508 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |
| GBPC25005W-E4/51 | 3.9033 | | 5225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC25005 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | |
| GBPC2501W-E4/51 | 5.3000 | | 8449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2501 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | |
| GBPC2504W-E4/51 | 5.3000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2504 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |
| GBPC2510-E4/51 | 5.3000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2510 | Estándar | GBPC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |
| GBPC2510W-E4/51 | 5.3000 | | 296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2510 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |
| GBPC2510W (UM) E4/51 | - | | 8126 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2510 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |
| GBPC35005W-E4/51 | 4.3306 | | 8798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC35005 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | |
| GBPC3501W-E4/51 | 5.8900 | | 7835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC3501 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 100 V | 35 A | Fase única | 100 V | |
| GBU4A-E3/51 | 1.9500 | | 9156 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU4 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 3 A | Fase única | 50 V | |
| GBU6D-E3/51 | 2.2100 | | 891 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 200 V | 3.8 A | Fase única | 200 V | |
| GBU6K-E3/51 | 2.2100 | | 890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 3.8 A | Fase única | 800 V | |
| GBU8A-E3/51 | 1.0890 | | 2163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 50 V | 3.9 A | Fase única | 50 V | |
 | KBU4A-E4/51 | 3.3700 | | 570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU4 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 50 V | 4 A | Fase única | 50 V | |
| KBU4G-E4/51 | 3.3700 | | 140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU4 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | |
| KBU4J-E4/51 | 3.3700 | | 1991 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | KBU4 | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 v @ 4 a | 5 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V |
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