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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
DF10M-E3/45	0.7800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)	DF10	Estándar		DFM	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 v @ 1 a		5 µA @ 1000 V		1 A		Fase única	1 kV
DF10SA-E3/45	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF10	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 v @ 1 a		5 µA @ 1000 V		1 A		Fase única	1 kV
DF1501S-E3/45	0.7800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1501	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 100 V		1.5 A		Fase única	100 V
DF1504S-E3/45	0.3298	RFQ	2510	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1504	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 400 V		1.5 A		Fase única	400 V
DF1506S-E3/45	0.7900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1506	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 600 V		1.5 A		Fase única	600 V
DF1508S-E3/45	0.3298	RFQ	8594	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DF1508	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1.5 A		10 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
DFL1501S-E3/45	0.7900	RFQ	7530	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1501	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 100 V		1.5 A		Fase única	100 V
DFL1502S-E3/45	0.3298	RFQ	2754	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1502	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 200 V		1.5 A		Fase única	200 V
DFL1508S-E3/45	0.3298	RFQ	7602	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1508	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 800 V		1.5 A		Fase única	800 V
DFL1514S-E3/45	-	RFQ	6640	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	DFL1514	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1400 V		1.5 A		Fase única	1.4 kV
EDF1AS-E3/45	1.2700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota	EDF1	Estándar		DFS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50						1.05 v @ 1 a		5 µA @ 50 V		1 A		Fase única	50 V
MBR30H60CThe3/45	-	RFQ	2237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR30	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
ES1PB-M3/84A	0.4400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO220AA	ES1	Estándar		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		920 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
BZX85B2V7-TAP	0.0561	RFQ	2453	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B2V7		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000								500 na @ 20 V						2.7 V	20 ohmios
VT3060CHM3/4W	-	RFQ	9716	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT3060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT3060CHM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	700 MV @ 15 A		1.2 Ma @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5250C-HE3_A-08	-	RFQ	3046	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ5250C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1						900 MV @ 10 Ma		100 na @ 15 V						20 V	25 ohmios
V10pwm10hm3/i	0.3647	RFQ	1807	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Schottky		Delgada	descascar			Alcanzar sin afectado	112-V10PWM10HM3/ITR	EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		750 MV @ 10 A		120 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	1200pf @ 4V, 1MHz
BZM55B47-TR3	0.0433	RFQ	1830	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZM55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BZM55B47		500 MW	Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 µA @ 36 V						47 V	700 ohmios
SMZJ3809B-E3/5B	0.1546	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3809		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 51.7 V						68 V	120 ohmios
BZG03C15-HM3-08	0.5200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C15		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 11 V						15 V	10 ohmios
MBRF15H35CT-E3/45	-	RFQ	5968	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF15	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	630 MV @ 7.5 A		50 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SGL41-30HE3/96	-	RFQ	9279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	SGL41	Schottky		GL41 (DO-213AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SGL41-30HE3_A/H	EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 1 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
ES2C-E3/5BT	0.1574	RFQ	7148	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2C	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 2 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	18pf @ 4V, 1 MHz
BZX84B3V0-HE3-18	0.0341	RFQ	9265	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX84	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B3V0		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 1 V						3 V	95 ohmios
Rgf1mhe3_a/i	-	RFQ	3943	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	RGF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar					EAR99	8541.10.0080	6,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.3 V @ 1 A	500 ns	5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
DZ23C47-G3-08	0.0483	RFQ	3188	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	DZ23-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 35 V						47 V	100 ohmios
AZ23C30-HE3-08	0.0436	RFQ	2328	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C30		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 22.5 V						30 V	80 ohmios
TZM5227C-GS18	-	RFQ	5543	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5227		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 Ma		15 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
BZT52C12-E3-08	0.2700	RFQ	46	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52C12		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000								100 na @ 9 V						12 V	7 ohmios
VS-E5TX1512S2L-M3	2.1600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT® G5	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		3.3 V @ 15 A	96 ns	50 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²