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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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![]() | GBPC1208/1 | - | ![]() | 3539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC1208 | Estándar | GBPC | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 12 A | Fase única | 800 V | |||||||
![]() | DF02M/45 | - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) | DF02 | Estándar | DFM | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1 A | Fase única | 200 V | |||||||
![]() | GBPC15005W/1 | - | ![]() | 2968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC15005 | Estándar | GBPC-W | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 15 A | Fase única | 50 V | |||||||
DZ23C10-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, DZ23 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 par Cátodo Común | 100 na @ 7.5 V | 10 V | 15 ohmios | ||||||||
![]() | VS-KBPC108 | 2.4100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | VS-KBPC1 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-1 | KBPC108 | Estándar | KBPC1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | 3 A | Fase única | 800 V | |||||||
VS-2KBB10 | 2.2700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, 2KBB | 2KBB10 | Estándar | 2KBB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 1.9 A | 10 µA @ 100 V | 1.9 A | Fase única | 100 V | ||||||||
![]() | VS-GBPC3504W | 7.1700 | ![]() | 8339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | VS-GBPC | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC3504 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 2 Ma @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | |||||||
![]() | 111MT100KB | - | ![]() | 7580 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 111MT100 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *111MT100KB | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 Ma @ 1000 V | 110 A | Fase triple | 1 kV | |||||||
![]() | 160mt100kb | - | ![]() | 5245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 160MT100 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *160MT100KB | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 10 Ma @ 1000 V | 160 A | Fase triple | 1 kV | |||||||
![]() | GBPC1508W/1 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC1508 | Estándar | GBPC-W | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |||||||
![]() | 160mt140kb | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 160MT140 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 10 Ma @ 1400 V | 160 A | Fase triple | 1.4 kV | ||||||||
![]() | 70mt160kb | - | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 70MT160 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 70 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||
![]() | GBPC1202/1 | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC1202 | Estándar | GBPC | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 200 V | 12 A | Fase única | 200 V | |||||||
![]() | GBPC3508/1 | - | ![]() | 5132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC3508 | Estándar | GBPC | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | |||||||
![]() | 70mt80kb | - | ![]() | 4978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 70MT80 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 70 A | Fase triple | 800 V | |||||||||
![]() | 112MT80KB | - | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 112MT80 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *112MT80KB | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 20 Ma @ 800 V | 110 A | Fase triple | 800 V | |||||||
![]() | VS-KBPC101 | 1.5500 | ![]() | 214 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | VS-KBPC1 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, KBPC-1 | KBPC101 | Estándar | KBPC1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 100 V | 3 A | Fase única | 100 V | |||||||
![]() | VS-36MT40 | 15.9200 | ![]() | 1077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 5 Cuadrado, D-63 | 36MT40 | Estándar | D-63 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase triple | 400 V | ||||||||
![]() | DF04S/77 | - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DF04 | Estándar | DFS | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | |||||||
![]() | 92mt120kb | - | ![]() | 8845 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 92MT120 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *92mt120kb | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 90 A | Fase triple | 1.2 kV | ||||||||
![]() | 160mt160kb | - | ![]() | 1434 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Mtk | 160MT160 | Estándar | Mtk | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 10 Ma @ 1600 V | 160 A | Fase triple | 1.6 kV | ||||||||
![]() | GBPC1210W-E4/51 | 3.9033 | ![]() | 5984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC1210 | Estándar | GBPC-W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 v @ 6 a | 5 µA @ 1000 V | 12 A | Fase única | 1 kV | |||||||
G2SB20-E3/51 | - | ![]() | 5078 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBL | G2SB20 | Estándar | GBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 Ma | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | ||||||||
![]() | GBU8K-5400M3/51 | - | ![]() | 7662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU8 | Estándar | Gbu | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 v @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 3.9 A | Fase única | 800 V | ||||||||
![]() | GBU6J-M3/45 | 1.2844 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, GBU | GBU6 | Estándar | Gbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 v @ 6 a | 5 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | |||||||
![]() | Tzx6v8b-tr | 0.2300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx6v8 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 3.5 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||
PB4010-E3/45 | 3.8600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | isocink+™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, PB | PB4010 | Estándar | isocink+™ pb | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 1000 V | 40 A | Fase única | 1 kV | ||||||||
![]() | 2KBP005M-M4/51 | - | ![]() | 7105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | 2KBP005 | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | |||||||
Bu20085s-m3/45 | - | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, BU-5S | BU20085 | Estándar | isocink+™ bu-5s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 v @ 10 a | 5 µA @ 800 V | 20 A | Fase única | 800 V | ||||||||
![]() | GBPC2508/1 | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Terminal QC | 4 Cuadrado, GBPC | GBPC2508 | Estándar | GBPC | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V |
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