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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBRB1635HE3/81	-	RFQ	3056	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB16	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		630 MV @ 16 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Rs2AHE3/52T	-	RFQ	3883	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.3 V @ 1.5 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	20pf @ 4V, 1 MHz
VS-ETU1506S2LHM3	1.1967	RFQ	5940	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar			Alcanzar sin afectado	112-VS-ETU1506S2LHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.9 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
BZG04-91-M3-18	0.1980	RFQ	4727	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-91		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 91 V				110 V
BZT03D13-TR	-	RFQ	9993	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6.54%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	25,000						1.2 V @ 500 Ma		2 µA @ 10 V				13 V	10 ohmios
MMSZ4713-HE3_A-08	0.0533	RFQ	6305	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar				112-MMSZ4713-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15,000						900 MV @ 10 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V
BYD33KGP-E3/73	-	RFQ	6504	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BYD33	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A		5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
VT2060C-M3/4W	0.7521	RFQ	8685	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	VT2060	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VT2060CM34W	EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	10A	650 MV @ 10 A		850 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5233C-G3-08	-	RFQ	5487	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5233		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 3.5 V				6 V	7 ohmios
VS-80-1322PBF	-	RFQ	7228	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	*	Tubo	Obsoleto					VS-80				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	50
SS2FH10HM3/H	0.4300	RFQ	17	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SS2FH10	Schottky		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		860 MV @ 2 A		5 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	70pf @ 4V, 1MHz
GL41MHE3/97	-	RFQ	4683	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	GL41MHE3_A/I	EAR99	8541.10.0080	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
GP10K-M3/54	-	RFQ	6752	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	7pf @ 4V, 1 MHz
RMPG06K-E3/73	-	RFQ	9054	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	RMPG06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6.6pf @ 4V, 1MHz
EGP10BE-E3/54	-	RFQ	6637	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	EGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	22pf @ 4V, 1 MHz
TZMB8V2-GS18	0.0411	RFQ	5183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	Tzmb8v2		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 6.2 V				8.2 V	7 ohmios
SS5P3-E3/86A	-	RFQ	3633	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	Ss5p3	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		520 MV @ 5 A		250 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
UGF10BCT-E3/45	-	RFQ	2737	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	UGF10	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C
Byt62-tap	1.3900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byt62	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2400 V		3.6 V @ 1 A	5 µs	5 µA @ 2400 V	175 ° C (Máximo)	350 mm	-
DZ23C30-HE3-18	0.0436	RFQ	6186	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, DZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Cátodo Común							100 na @ 22.5 V				30 V	80 ohmios
BZT55C12-GS18	0.2100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZT55	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Variatura Sod-80	BZT55C12		500 MW	Césped-80 cuádromal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V				12 V	20 ohmios
SMZJ3807B-E3/52	0.1546	RFQ	9798	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ3807		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	750								5 µA @ 42.6 V				56 V	86 ohmios
BZX85B6V8-TR	0.3800	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85B6V8		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								1 µA @ 4 V				6.8 V	3.5 ohmios
BZG03C56-HM3-18	0.1898	RFQ	7412	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 7.14%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG03C56		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 43 V				56 V	60 ohmios
AZ23B20-HE3_A-08	-	RFQ	3022	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			300 MW	Sot-23-3	descascar				112-AZ23B20-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común							50 na @ 14 V				20 V	55 ohmios
TLZ24C-GS08	0.2500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ24		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		40 na @ 22 V				24 V	35 ohmios
BZX85C5V1-TR	0.3800	RFQ	50	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX85	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	BZX85C5V1		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000								1 µA @ 1.5 V				5.1 V	10 ohmios
VS-3C20etott-M3	-	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	112-VS-3C20ETOTT-M3	EAR99	8541.10.0080	1
RGP10JE-E3/91	-	RFQ	6166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1 MHz
BZW03C43-TAP	-	RFQ	3326	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZW03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sod-64, axial	BZW03		1.85 W	Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,500						1.2 v @ 1 a		2 µA @ 33 V				43 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
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Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (29505)

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15,000 m²