Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR10H50HE3/45 | - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR10 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 710 MV @ 10 A | 100 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | V10K202C-M3/I | 0.6034 | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-V10K202C-M3/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 2.8a | 870 MV @ 5 A | 15 µA @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
BZX584C5V6-G3-08 | 0.3000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzx584c | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Bzx584c | 200 MW | Sod-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-8EWX06FNTRL-M3 | 0.4981 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 8ewx06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS8EWX06FNTRLM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 3 V @ 8 A | 17 ns | 50 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||
![]() | GPP60GHE3/54 | - | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | P600, axial | GPP60 | Estándar | P600 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 6 a | 5.5 µs | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||
![]() | Rs2ahe3_a/h | 0.1650 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | RS2A | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VBT6045CBP-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT6045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 640 MV @ 30 A | 3 Ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | GL34A-E3/83 | 0.1505 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | GL34 | Estándar | DO-213AA (GL34) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Sf5403-tap | 0.5643 | ![]() | 5655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | SF5403 | Estándar | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | BZW03C240-TAP | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZW03 | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BZW03 | 1.85 W | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 180 V | 240 V | 900 ohmios | |||||||||||
![]() | Tzx8v2b-tap | 0.0287 | ![]() | 4322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta y Caja (TB) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Tzx8v2 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | TZS4712-GS08 | 0.0411 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | TZS4712 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 21.2 V | 28 V | ||||||||||||
![]() | TZMC3V6-GS18 | 0.0303 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc3v6 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | BZT52C56-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | BZT52C56 | 410 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 56 V | 135 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMBZ5928B-E3/5B | 0.1676 | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBZ5928 | 3 W | DO-214AA (SMBJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | AR1PGHM3/85A | 0.1914 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO220AA | Ar1 | Avalancha | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 140 ns | 1 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | PTV15B-E3/85A | - | ![]() | 5087 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO220AA | PTV15 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 11 V | 15.6 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | MB30H90CThe3_A/P | - | ![]() | 7984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MB30H90 | Schottky | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 15A | 820 MV @ 15 A | 5 µA @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | Nsf8kthe3_b/p | - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | NSF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
BZT52B7V5-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | descascar | 112-BZT52B7V5-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 5 V | 7.5 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | SML4756A-E3/61 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4756 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | VS-CZH6106FP-M3 | 3.0900 | ![]() | 457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | SC-94 | CZH6106 | Estándar | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-CZH6106FP-M3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 30A | 2.15 V @ 30 A | 90 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
![]() | VS-6EWL06FNTRL-M3 | 0.3800 | ![]() | 8733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 6EWL06 | Estándar | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS6EWL06FNTRLM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 6 a | 70 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||
![]() | VS-MBRD330TRR-M3 | 0.2764 | ![]() | 7345 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRD330 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSMBRD330TRM3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 3 A | 200 µA @ 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 189pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Tzx22b-tap | 0.0287 | ![]() | 4000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZX | Cinta y Caja (TB) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | TZX22 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 17 V | 22 V | 65 ohmios | |||||||||||
![]() | S4PB-M3/87A | 0.1751 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | S4P | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Rs07d-m-08 | 0.4700 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs07 | Estándar | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 700 Ma | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 9PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
MMBZ5264C-G3-18 | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5264 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 46 V | 60 V | 170 ohmios | |||||||||||||
MMBZ5246C-G3-08 | - | ![]() | 4351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5246 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||
![]() | GP08GHE3/73 | - | ![]() | 9770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | GP08 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 800mA | - |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock