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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-30CPU04-N3	6.5200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPU04	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	15A	1.25 V @ 15 A	46 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-40CPQ045-N3	4.3500	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	40cpq045	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-40CPQ045-N3GI	EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	40A	590 MV @ 40 A		4 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-60EPF02-M3	6.5711	RFQ	1339	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2	60epf02	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-60EPF02-M3GI	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
VS-6CWQ04FNHM3	2.7900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ04	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-6CWQ04FNHM3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	3.5a	530 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-6CWQ06FNHM3	1.8800	RFQ	7123	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6CWQ06	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-6CWQ06FNHM3GI	EAR99	8541.10.0080	75	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	3.5a	610 MV @ 3 A		2 Ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR2545CT-N3	-	RFQ	1483	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	MBR25	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-MBR2545CT-N3GI	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4738A-TAP	0.3600	RFQ	26	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4738		1.3 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 V	4.5 ohmios
BZX55B5V1-TAP	0.2200	RFQ	71	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Cinta de Corte (CT)	Activo	-	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B5V1		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				5.1 V	60 ohmios
Tzx7v5b-tap	0.2300	RFQ	11	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta de Corte (CT)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	Tzx7v5		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				7.5 V	15 ohmios
1N5239B-TR	0.2300	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5239		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
1N5243B-TR	0.2300	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5243		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
1N5253B-TR	0.2300	RFQ	32	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5253		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 19 V				25 V	35 ohmios
BYV38-TR	0.6700	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BYV38	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 1 a	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2a	15pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B8V2-TR	0.2200	RFQ	88	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55B8V2		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 6.2 V				8.2 V	7 ohmios
BZX55C2V7-TR	0.2400	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C2V7		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V				2.7 V	85 ohmios
BZX55C9V1-TR	0.2300	RFQ	832	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX55	Tape & Reel (TR)	Activo	-	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C9V1		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 6.8 V				9.1 V	10 ohmios
ZM4740A-GS18	0.3900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZM4740		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							10 µA @ 7.6 V				10 V	7 ohmios
Baq333-TR	0.3200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	BAQ333	Estándar		Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		1 V @ 100 Ma		1 na @ 15 V	175 ° C (Máximo)	200 MMA	3PF @ 0V, 1MHz
BAS81-GS08	0.3600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BAS81	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 40 V	125 ° C (Máximo)	30mera	1.6pf @ 1v, 1 MHz
BZG05C5V1TR	-	RFQ	9355	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 1.5 V				5.1 V	10 ohmios
LL103B-GS08	0.4300	RFQ	23	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL103	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
SML4741A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4741		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 8.4 V				11 V	8 ohmios
SML4743A-E3/61	0.5000	RFQ	48	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4743		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
SML4745A-E3/61	0.5000	RFQ	990	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4745		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
SML4746A-E3/61	0.5000	RFQ	19	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4746		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 13.7 V				18 V	20 ohmios
SML4751A-E3/61	0.5000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SML4751		1 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.800							5 µA @ 22.8 V				30 V	40 ohmios
TZM5250B-GS08	0.2300	RFQ	16	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5250		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 15 V				20 V	25 ohmios
TZM5255B-GS08	0.2300	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5255		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				28 V	44 ohmios
TZMB12-GS08	0.3100	RFQ	12	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMB12		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 9.1 V				12 V	20 ohmios
TZMC33-GS08	0.2300	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC33		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 24 V				33 V	80 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²